检测项目
成分分析：锗含量（0.1%-50%）、杂质元素（As、Pb、Cd≤0.01%）
力学性能测试：硬度（HV 50-800）、拉伸强度（200-1200 MPa）
显微结构分析：晶粒尺寸（1-50 μm）、相组成比例误差≤±2%
热膨胀系数测试：温度范围-196℃至800℃，精度±0.1×10⁻⁶/℃
耐腐蚀性评估：盐雾试验（5% NaCl溶液，35℃±1℃，周期48-240h）
检测范围
半导体材料：Ge-Si合金单晶片、Ge-As-Se红外光学材料
光学玻璃：GeO₂基特种光纤预制棒
热电材料：Bi₂Te₃-Ge纳米复合热电片
金属基复合材料：Al-Ge系电子封装材料
磁性材料：Fe-Ge系软磁合金薄带
检测方法
ASTM E1479-16：电感耦合等离子体原子发射光谱法测定痕量元素
ISO 14596:2007：波长色散X射线荧光光谱定量分析法
GB/T 223.84-2020：钢铁及合金中锗含量的测定方法
ASTM E10-18：金属材料布氏硬度试验规范
GB/T 228.1-2021：金属材料拉伸试验第1部分：室温试验方法
ISO 4499-2:2020：硬质合金显微组织的金相测定
检测设备
Thermo Scientific ARL PERFORM'X X射线荧光光谱仪：元素定量分析（Be-U），检出限达1ppm
Instron 5985万能试验机：载荷范围±300kN，位移分辨率0.015μm
Hitachi SU5000场发射扫描电镜：分辨率1.0nm@15kV，配备EDAX能谱系统
Netzsch DIL 402 Expedis Classic热膨胀仪：升温速率0.001-50K/min，长度分辨率0.125nm
Gamry Reference 600+电化学工作站：阻抗频率范围10μHz-1MHz，电位控制精度±0.2mV