检测项目

1.纯度分析:测定主元素含量(99.99%-99.9999%),采用差减法计算杂质总量

2.痕量元素检测:检出限达0.01ppm(Cd、As、Pb等14种管控元素)

3.晶粒尺寸测定:测量范围50nm-500μm(EBSD法)

4.氧氮氢分析:氧含量≤5ppm(惰性熔融红外法)

5.表面粗糙度:Ra≤0.1μm(白光干涉仪测量)

6.电阻率测试:四探针法测量精度0.5nΩm

检测范围

1.半导体级金属:6N以上纯度单晶硅锭、锗片等

2.溅射靶材:铜、铝、钛等纯度≥99.995%的PVD镀膜材料

3.超导材料:铌钛合金(Ti含量44-48wt%)

4.核工业用金属:锆合金包壳管(Hf≤100ppm)

5.高纯金属粉末:球形钛粉(粒径D50=15-45μm)

6.贵金属催化剂:铂碳催化剂(Pt负载量5-60wt%)

检测方法

1.ICP-MS法(ASTME1479):多元素同步分析(ppb级)

2.GDMS辉光放电质谱(ISO22033):体材料杂质深度剖析

3.XRF荧光光谱(GB/T16597):主成分快速筛查

4.惰性气体熔融法(GB/T4324):氧氮氢联测系统

5.TEM透射电镜(ISO25498):纳米级晶格缺陷表征

6.SIMS二次离子质谱(ASTME1504):表面污染层分析

检测设备

1.ThermoFisheriCAPTQICP-MS:三重四极杆质谱系统(检出限0.1ppt)

2.Agilent7900ICP-MS:四极杆质量过滤器(质量范围2-260amu)

3.BrukerG8GALILEO氧氮氢分析仪:脉冲加热温度≥3000℃

4.CamecaIMS7f-AutoSIMS:空间分辨率≤50nm

5.JEOLJXA-8530F电子探针:波长色散谱仪(加速电压0-30kV)

6.ZygoNewView9000白光干涉仪:垂直分辨率0.1nm

7.OxfordInstrumentsAZtecEBSD系统:Hough分辨率≥70

8.PerkinElmerNexION2000ICP-MS:三锥接口设计(耐高基体)

9.HitachiSU9000场发射电镜:分辨率0.4nm@15kV

10.PANalyticalAxiosMAXXRF:4kW超尖锐端窗X光管