检测项目
SiO₂含量测定：范围50-70%（wt%）
Li₂O含量测定：精度±0.1%（wt%）
晶体结构分析：XRD半峰宽≤0.5°
粒度分布检测：D50值（1-50μm）
热膨胀系数测试：温度范围25-1000℃
电导率测定：频率范围1Hz-1MHz
杂质元素分析：Al、Fe、Na含量≤0.05%
检测范围
陶瓷材料：包括高温结构陶瓷、功能陶瓷基体
锂离子电池材料：固态电解质、正极包覆层
光学玻璃：高折射率玻璃基材
电子封装材料：半导体封装用硅酸盐复合材料
耐火材料：窑炉内衬涂层
检测方法
化学成分分析：ASTM E1621（XRF法）、GB/T 14506.3（ICP-OES）
晶体结构表征：ISO 20203（XRD法）、GB/T 23413
粒度分布测试：ISO 13320（激光衍射法）、GB/T 19077
热性能分析：ASTM E1269（DSC法）、GB/T 7320（热膨胀仪）
电化学性能测试：IEC 62320（阻抗谱法）、GB/T 3389
检测设备
X射线荧光光谱仪：Thermo Fisher ARL ADVANT'X，分辨率＜5eV
激光粒度分析仪：Malvern Mastersizer 3000，量程0.01-3500μm
X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE，Cu靶Kα辐射
热分析系统：PerkinElmer DSC 8500，温度精度±0.1℃
阻抗分析仪：Keysight E4990A，频率范围20Hz-120MHz
电感耦合等离子体光谱仪：Agilent 5110 ICP-OES，检出限0.1ppm