检测项目
纯度检测：二氧化锗含量（≥99.99%）
杂质元素分析：Fe、Cu、Ni、Pb、As（≤5 ppm）
晶型结构鉴定：四方相与六方相比例（XRD半定量）
粒度分布检测：D50值（0.5-10 μm范围）
水分及挥发物：105℃干燥失重（≤0.1%）
检测范围
高纯二氧化锗粉末（电子级）
锗单晶生长原料（太阳能电池用）
红外光学镀膜材料
半导体前驱体（GeO2薄膜沉积材料）
催化剂载体（石油化工用）
检测方法
ICP-MS法（ASTM E1479-16，GB/T 33324-2016）
X射线衍射法（ISO 20203:2005，GB/T 23413-2009）
激光粒度分析法（ISO 13320:2020，GB/T 19077-2016）
卡尔费休水分测定法（ISO 760:1978，GB/T 6283-2008）
热重分析法（ASTM E1131-20，GB/T 27761-2011）
检测设备
Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS（痕量元素检测，检出限0.01 ppb）
Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪（2θ范围5°-160°，分辨率0.0001°）
Malvern Mastersizer 3000激光粒度仪（测量范围0.01-3500 μm）
Mettler Toledo C30S卡尔费休水分仪（测量精度±1 μg）
PerkinElmer STA 8000同步热分析仪（温度范围25-1600℃）