检测项目
二氧化硅含量测定（SiO₂≥99.2%）
杂质元素分析（Al、Fe、Na、K等痕量元素≤300ppm）
晶格缺陷密度（X射线衍射半峰宽≤0.02°）
热膨胀系数（20-300℃范围内α≤5.5×10⁻⁷/℃）
介电损耗角正切值（1MHz下tanδ≤0.0001）
检测范围
人工合成石英晶体
光学石英玻璃基板
半导体用石英坩埚
光纤预制棒芯层材料
高温高压反应釜石英内衬
检测方法
ASTM E1915-11 高频感应耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）
ISO 21587-3:2007 X射线荧光光谱法（XRF）
GB/T 3284-2015 石英玻璃化学分析方法
ISO 17560:2003 二次离子质谱法（SIMS）
GB/T 16535-2008 石英晶体元件参数测量方法
检测设备
Rigaku ZSX Primus IV X射线荧光光谱仪（元素定量分析）
PerkinElmer Optima 8300 ICP-OES（痕量杂质检测）
Bruker D8 ADVANCE X射线衍射仪（晶体结构分析）
Netzsch DIL 402 Expedis Classic热膨胀仪（热稳定性测试）
Agilent 4294A精密阻抗分析仪（介电性能评估）