检测项目

栅氧化层厚度：测量范围1-10nm，精度±0.1nm

界面态密度(Dit)：测试范围1E9-1E12 eV⁻¹·cm⁻²

击穿电压(Vbd)：测试电压0-50V，分辨率0.01V

表面粗糙度(RMS)：分析范围0.1-5nm

掺杂浓度分布：检测精度±5%，深度分辨率≤2nm

检测范围

半导体材料：单晶硅/多晶硅基板

集成电路：CMOS逻辑器件/存储器单元

微机电系统(MEMS)：压力传感器/加速度计

功率半导体：IGBT/MOSFET栅极结构

先进封装：3D集成TSV栅介质层

检测方法

椭圆偏振法：ASTM F534测定氧化层厚度

电容-电压法(C-V)：GB/T 17573分析界面态密度

时变介质击穿(TDDB)：JESD92评估长期可靠性

原子力显微镜(AFM)：ISO 11039表征表面形貌

二次离子质谱(SIMS)：GB/T 32281测试掺杂分布

检测设备

椭圆偏振仪：J.A. Woollam M-2000D（宽光谱分析）

半导体参数分析仪：Keysight B1500A（高精度I-V/C-V测试）

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon（0.1nm纵向分辨率）

聚焦离子束系统：FEI Helios G4 UX（截面制备与TEM样品处理）

飞行时间质谱仪：ION-TOF TOF.SIMS 5（三维掺杂分析）