检测项目

栅氧化层厚度：测量范围1-10nm，精度±0.1nm

界面态密度(Dit)：测试范围1E9-1E12 eV⁻¹·cm⁻²

击穿电压(Vbd)：测试电压0-50V，分辨率0.01V

表面粗糙度(RMS)：分析范围0.1-5nm

掺杂浓度分布：检测精度±5%，深度分辨率≤2nm

检测范围

半导体材料：单晶硅/多晶硅基板

集成电路：CMOS逻辑器件/存储器单元

微机电系统(MEMS)：压力传感器/加速度计

功率半导体：IGBT/MOSFET栅极结构

先进封装：3D集成TSV栅介质层

检测方法

椭圆偏振法：ASTM F534测定氧化层厚度

电容-电压法(C-V)：GB/T 17573分析界面态密度

时变介质击穿(TDDB)：JESD92评估长期可靠性

原子力显微镜(AFM)：ISO 11039表征表面形貌

二次离子质谱(SIMS)：GB/T 32281测试掺杂分布

检测设备

椭圆偏振仪：J.A. Woollam M-2000D（宽光谱分析）

半导体参数分析仪：Keysight B1500A（高精度I-V/C-V测试）

原子力显微镜：Bruker Dimension Icon（0.1nm纵向分辨率）

聚焦离子束系统：FEI Helios G4 UX（截面制备与TEM样品处理）

飞行时间质谱仪：ION-TOF TOF.SIMS 5（三维掺杂分析）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与硅栅检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。