检测项目
栅氧化层厚度：测量范围1-10nm，精度±0.1nm
界面态密度(Dit)：测试范围1E9-1E12 eV⁻¹·cm⁻²
击穿电压(Vbd)：测试电压0-50V，分辨率0.01V
表面粗糙度(RMS)：分析范围0.1-5nm
掺杂浓度分布：检测精度±5%，深度分辨率≤2nm
检测范围
半导体材料：单晶硅/多晶硅基板
集成电路：CMOS逻辑器件/存储器单元
微机电系统(MEMS)：压力传感器/加速度计
功率半导体：IGBT/MOSFET栅极结构
先进封装：3D集成TSV栅介质层
检测方法
椭圆偏振法：ASTM F534测定氧化层厚度
电容-电压法(C-V)：GB/T 17573分析界面态密度
时变介质击穿(TDDB)：JESD92评估长期可靠性
原子力显微镜(AFM)：ISO 11039表征表面形貌
二次离子质谱(SIMS)：GB/T 32281测试掺杂分布
检测设备
椭圆偏振仪：J.A. Woollam M-2000D（宽光谱分析）
半导体参数分析仪：Keysight B1500A（高精度I-V/C-V测试）
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon（0.1nm纵向分辨率）
聚焦离子束系统：FEI Helios G4 UX（截面制备与TEM样品处理）
飞行时间质谱仪：ION-TOF TOF.SIMS 5（三维掺杂分析）