检测项目
1. 蚀坑密度(≤10个/cm²)
2. 最大蚀坑深度(≤0.5μm)
3. 点蚀覆盖率(≤0.1%)
4. 电迁移离子迁移长度(≤5μm)
5. 腐蚀电位偏移(ΔE≤50mV)
检测范围
1. 集成电路铝互连线：0.13-28nm工艺节点
2. 铜互连芯片：CMOS 14nm-90nm
3. 功率MOSFET芯片：沟槽栅结构
4. MEMS芯片：梳齿驱动结构
5. 存储器芯片：DRAM、NAND Flash
检测方法
1. JESD22-A104F:2020 温度循环试验
2. GJB 548B-2005 方法1003 潮湿试验
3. JESD22-A110D:2017 高加速应力试验HAST
4. GB/T 3505-2009 表面粗糙度及缺陷评定
5. ASTM B117-2018 盐雾腐蚀试验方法
检测设备
1. 扫描电子显微镜(SEM SU3500)：放大15-300000倍，分辨率3nm
2. 原子力显微镜(AFM Dimension Icon)：XYZ分辨率0.1nm
3. 聚焦离子束(FIB Helios G4)：离子束分辨率0.5nm
4. HAST试验箱(EHS-241MD)：温度85-175℃，湿度85-100%RH
5. 温度循环试验箱(TSA-71S)：-65℃~180℃
6. 盐雾试验箱(YWX-150)：温度35-50℃，沉降量1-2ml/h
7. 电化学工作站(CHI-660E)：电位范围±10V
8. 干涉显微镜(Wyko NT9100)：垂直分辨率0.1nm
9. 等离子去胶机(PE-25)：功率25-300W