检测项目

电荷转移效率（CTE）：≥99.98%（@1 MHz）

延迟时间精度：误差≤±0.1 ns（@10 ns基准）

噪声特性：暗电流噪声≤0.5 e⁻/pixel/s（-50°C）

动态范围：≥80 dB（输入信号0.1 mV~10 V）

温度稳定性：偏移量≤0.05%/°C（-40°C~85°C）

检测范围

硅基CCD延迟线（用于光纤通信模块）

砷化镓（GaAs）基高速延迟线（雷达信号处理）

磷化铟（InP）基低噪声延迟线（高能物理实验）

红外CCD延迟线（热成像系统）

混合型CCD-CMOS延迟线（航空航天电子设备）

检测方法

电荷转移效率测试：ASTM F1241-2015（脉冲注入法）

时域响应分析：ISO 15529:2010（阶跃信号激励法）

噪声谱密度测定：GB/T 18900-2013（锁相放大器频域法）

动态范围校准：IEC 60747-12-5:2020（双光源对比法）

温度循环测试：GB/T 2423.22-2012（-55°C~125°C梯度试验）

检测设备

Agilent B1500A半导体参数分析仪：电荷转移效率及I-V特性测试

Tektronix DPO73304S数字示波器：时域响应波形采集（33 GHz带宽）

Keysight N9030B频谱分析仪：噪声功率谱密度测量（3 Hz~50 GHz）

ThermoStream T-2600温控系统：-65°C~+150°C环境模拟

Keithley 4200-SCS参数分析仪：动态范围及线性度测试