位错密度检测:测量范围104-1012 cm-2,精度±5%
位错分布形态分析:包括线性、网状或团簇状分布,分辨率≤50 nm
位错类型鉴别:刃型位错、螺型位错及混合型位错分类识别
位错亚结构检测:小角晶界、位错墙间距测量(0.1-10 μm)
局部应力场分析:残余应力检测范围±2000 MPa,空间分辨率1 μm
金属材料:铝合金、钛合金、高温合金等锻造/铸造件
半导体材料:单晶硅、砷化镓等晶圆及外延层
陶瓷材料:氧化铝、氮化硅等结构陶瓷
复合材料:碳纤维增强复合材料界面区域
高分子材料:结晶性聚合物球晶缺陷分析
透射电子显微镜法(TEM):ASTM E3,GB/T 27788-2020
X射线衍射法(XRD):ISO 22278-3,GB/T 23415-2021
电子背散射衍射(EBSD):ASTM E2627,GB/T 38885-2020
蚀坑法:GB/T 13298-2015金属显微组织检验方法
同步辐射白光形貌术:ISO 24173:2020
透射电子显微镜:JEOL JEM-2100F,配备STEM和EDS模块,极限分辨率0.19 nm
X射线衍射仪:Bruker D8 ADVANCE,Cu靶Kα射线(λ=0.154 nm),2θ范围5°-165°
场发射扫描电镜:Thermo Scientific Apreo 2S,EBSD分辨率3 nm@15 kV
聚焦离子束系统:FEI Helios G4 UX,离子束加速电压0.5-30 kV
原子力显微镜:Bruker Dimension Icon,峰值力轻敲模式,Z轴分辨率0.1 nm
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与静止位错检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。