检测项目

1.反向击穿电压（VBR）：测量范围5V-3000V1%FS

2.漏电流（IR）：测试精度0.1nA-10mA@25℃2℃

3.温度系数（TC）：-55℃~+175℃环境下的VBR漂移量

4.动态恢复时间（trr）：10ns-100μs@IF=1A

5.耐压持续时间：1000小时@125%额定VR

检测范围

1.整流二极管（1N4007系列/M7系列）

2.齐纳二极管（BZX55C/BZT52系列）

3.MOSFET体二极管（IRF540N/IRF3205）

4.电源管理IC（LM2596/XL4015）

5.TVS保护器件（SMAJ5.0CA/P6KE200A）

检测方法

1.ASTMF1234-19：半导体器件反向特性测试规程

2.IEC60747-1:2022分立器件基本参数测量

3.GB/T4589.1-2023半导体器件机械气候试验方法

4.JESD22-A108F：温度/湿度偏置可靠性测试

5.MIL-STD-750F方法1026：军用级反向耐压测试

检测设备

1.KeysightB1505A功率器件分析仪（3000V/1000A）

2.TektronixPA3000功率分析仪（带宽5MHz）

3.Chroma19032耐压测试系统（AC/DC5kV）

4.ESPECPL-3KPH温度冲击试验箱（-70℃~+180℃）

5.HiokiIM3590化学阻抗分析仪（10mΩ~100MΩ）

6.Fluke289真有效值万用表（0.001%基本精度）

7.Agilent34461A数字多用表（6位分辨率）

8.GWInstekLCR-8105G高频测试仪（100kHz）