屏极过热检测

检测项目

温度场分布分析：测量屏极表面温度梯度（范围：-40°C~300°C，精度±0.5°C）

红外辐射强度检测：3-5μm波段辐射通量（分辨率0.01W/m²·sr）

热阻系数测定：界面热阻值（R_th≥0.15K/W，误差±3%）

材料热膨胀系数测试：CTE线性膨胀率（10^-6/K级测量）

动态电流-温度耦合分析：最大负载电流（DC 50A，脉冲上升时间≤10μs）

检测范围

电子真空器件：大功率发射管、磁控管屏极组件

半导体功率模块：IGBT/DBC基板热界面材料

金属基复合材料：钼铜合金（MoCu）、钨铜合金（WCu）散热基板

高分子封装材料：环氧模塑料（EMC）热老化特性

光学镀膜器件：红外窗口镀层热应力耐受性

检测方法

ASTM E457-08(2020)：采用瞬态平面热源法测定材料导热系数

ISO 18555:2016：基于红外热像仪的非接触式温度场测量规范

MIL-STD-750F Method 2031：军用电子器件稳态热阻测试流程

JESD51-14：半导体封装瞬态双界面热特性测试

GB/T 14809-2020：电子陶瓷材料热震稳定性试验方法

检测设备

FLIR T1020热像仪：640×512像素，NETD＜18mK，支持3D热场建模

Keysight 34972A数据采集系统：6½位分辨率，20通道同步采样

NETZSCH LFA 467 HyperFlash：激光闪射法导热分析仪（-125°C~500°C）

Thermonamics T3Ster：结构函数法热特性测试系统（μs级时序解析）

Instron 6800系列万能试验机：配备高温炉（最高1200°C）的CTE测试模块

技术优势

CNAS认可实验室（注册号详情请咨询工程师），获ILAC-MRA国际互认资质

ISO/IEC 17025:2017体系认证，覆盖热学参数全部检测能力

配备二级标准黑体辐射源（不确定度0.2°C）的温度标定体系

博士领衔的热管理技术团队，拥有5项核心专利技术

参与起草GB/T 30269.808-2023《物联网传感器热可靠性试验规范》

以上是与"屏极过热检测"相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。