检测项目

晶界取向差角测定：测量0°-180°范围内的相邻晶粒取向偏差，分辨率达0.1°

织构强度分析：基于极图计算ODF最大值，检测范围0-20 m.r.d.

异相界面匹配度：评估多相材料界面CSL（Σ值）分布，检测Σ3-Σ29边界

亚晶粒取向离散度：统计局部取向波动RMS值，精度±0.05°

宏观织构梯度：检测样品表面至深度200μm的三维取向梯度，步长5μm

检测范围

金属材料：高温合金涡轮叶片晶界工程、铝锂合金时效析出相取向关系

陶瓷材料：氧化锆相变晶体学路径分析、碳化硅纤维增强复合界面

半导体材料：GaN外延层位错密度与晶向偏离关联性研究

高分子材料：液晶聚合物分子链取向度与力学各向异性关联

复合材料：钛基复合材料中TiB晶须择优取向对疲劳性能影响

检测方法

电子背散射衍射法（EBSD）：ASTM E2627-19标准，配备Hough变换算法，最小步长50nm

X射线宏观织构分析：ISO 24173:2022标准，采用Schulz反射法，2θ范围5°-120°

透射电子显微术（TEM）：ASTM E3061-17标准，选区衍射模式精度±0.2°

同步辐射三维XRD：DIN 54115-2021标准，空间分辨率1μm³

中子衍射大体积分析：ISO 21475:2019标准，穿透深度＞50mm

检测设备

场发射扫描电镜：TESCAN MIRA6 GMU，配备TSL OIM Analysis System 8.0，可实现70°倾角下2nm分辨率EBSD采集

高分辨XRD系统：Bruker D8 Discover with VANTEC-500，配备Cu靶微焦斑光源（50μm spot size）

透射电镜：JEOL JEM-F200，配备ASTAR预cession系统，可实现0.5nm步长的取向成像

三维X射线显微镜：ZEISS Xradia 620 Versa，具备4D-CT功能（空间+时间分辨率）

中子衍射仪：HELLIOS冷中子源系统，配备120°广角位敏探测器

技术优势

CNAS认可实验室（编号详情请咨询工程师）具备ISO/IEC 17025:2017检测资质，检测报告获ILAC-MRA国际互认

配备FEI Scios 2 DualBeam双束系统，实现FIB制备与EBSD联用，解决传统制样导致的取向失真问题

开发基于机器学习的ACOM-TEM自动标定算法，将菊池带识别速度提升300%

建立全球首个多尺度取向数据库，包含从纳米晶（＜100nm）到粗晶（＞1mm）的120万组标定数据

参与制定GB/T 38892-2020《纳米材料电子背散射衍射分析方法》等6项国家标准

　　以上是与取向差检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。