检测项目

界面结合强度：剪切强度≥200MPa（ASTMD3165），拉伸强度≥350MPa（GB/T1040.1）

晶格错配度：测量精度0.01%（HR-XRD法），允许偏差≤0.5%

元素扩散层厚度：EDAX线扫描分辨率1nm（SEM-EDS联用）

位错密度：透射电镜(TEM)测定范围10^6-10^12cm^-2

热膨胀系数差：DIL402C热膨胀仪测量精度0.110^-6/K

检测范围

镍基高温合金/陶瓷涂层复合体系（燃气轮机叶片）

硅/锗异质结半导体器件（光电探测器芯片）

钛合金/羟基磷灰石生物复合材料（人工关节涂层）

铜/铝双金属复合导线（输电线路连接件）

碳化硅/氮化镓宽禁带半导体（功率电子器件）

检测方法

界面剪切试验：ASTMD3165-2014标准试件制备与加载规程

X射线衍射分析：ISO22278:2020晶格常数测定规范

纳米压痕测试：GB/T31228-2014界面力学性能评价方法

聚焦离子束切片：IEC62624-2009微纳结构制备标准

俄歇电子能谱：GB/T26533-2011元素深度分布分析规程

检测设备

ThermoScientificApreo2场发射扫描电镜：配备EDS/EBSD双探头系统

BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪：配备Euleriancradle测角仪

ShimadzuXRD-7000薄膜衍射仪：掠入射模式分辨率0.0001

HysitronTIPremier纳米压痕仪：最大载荷30mN/位移分辨率0.02nm

FEIHeliosG4UX聚焦离子束系统：5nm定位精度加工能力

KLATencorP17表面轮廓仪：垂直分辨率0.01台阶测量

NETZSCHDIL402C热膨胀仪：温度范围-150C~2800C

OxfordInstrumentsAZtecEnergyEDS系统：50mm大面积探测器

JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜：空间分辨率0.08nm

ULVAC-PHI710俄歇电子能谱仪：深度剖析速率1nm/min

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与双晶体界面检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。