检测项目

1.纯度测定：主含量YI3≥99.99%（4N级），采用差减法计算

2.晶体结构分析：立方晶系（空间群Ia-3），晶格常数a=12.360.03

3.杂质元素含量：Fe≤5ppm、Cu≤2ppm、Pb≤1ppm（ICP-MS法）

4.热稳定性测试：TG-DSC联用分析（25-800℃），分解温度≥650℃

5.表面形貌表征：SEM观测粒径分布D50=1-5μm，球形度≥0.85

检测范围

1.光学镀膜用高纯碘化钇靶材（纯度≥99.95%）

2.闪烁晶体生长原料（YI3:Ce系列掺杂材料）

3.核医学造影剂前驱体（放射性同位素标记样品）

4.半导体ALD/CVD工艺源材料（蒸汽压测试样品）

5.科研级单晶碘化钇（晶体缺陷密度≤10^4/cm）

检测方法

ASTME1479-16电感耦合等离子体质谱法测定稀土杂质

ISO18554:2017X射线衍射法晶体结构定量分析

GB/T12690.3-2015稀土金属及其氧化物化学分析方法

GB/T4336-2016碳硫分析仪测定非金属杂质

ISO21283:2018扫描电镜法颗粒形貌表征标准

检测设备

ThermoScientificiCAPRQICP-MS：痕量元素定量（检出限0.01ppb）

BrukerD8ADVANCEXRD：全谱拟合物相分析（角度精度0.0001）

NETZSCHSTA449F5：同步热分析（温度分辨率0.1℃）

ZeissSigma500SEM：场发射扫描电镜（分辨率0.8nm@15kV）

Agilent8900ICP-MS/MS：质谱干扰消除（MS/MS模式）

MalvernMastersizer3000：激光粒度分析（测量范围0.01-3500μm）

PerkinElmerLambda1050：紫外-可见-近红外分光光度计（波长范围175-3300nm）

HoribaLabRAMHREvolution：拉曼光谱仪（空间分辨率<1μm）

LECOONH836：氧氮氢分析仪（检出限0.01ppm）

MettlerToledoXPR6U：微量天平（称量精度0.1μg）