中子数与质子数比率检测概述:检测项目1.中子过剩数(N-Z)测定:精度0.05%,测量范围Z=1-1002.同位素丰度比(n/p)分析:分辨率≤0.001amu3.核素半衰期关联性验证:时间测量误差<0.1ns4.裂变产物中子俘获截面测量:能量范围0.025eV-10MeV5.稳定岛理论验证实验:超重核n/p比测量(Z≥104)检测范围1.核燃料元件:铀-235/238混合氧化物燃料棒2.放射性同位素药物:钼-99/锝-99m发生器系统3.半导体掺杂材料:高纯锗单晶(Ge-76/74比率)4.地质年代测定样品:钐-147/钕-143
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1.中子过剩数(N-Z)测定:精度0.05%,测量范围Z=1-100
2.同位素丰度比(n/p)分析:分辨率≤0.001amu
3.核素半衰期关联性验证:时间测量误差<0.1ns
4.裂变产物中子俘获截面测量:能量范围0.025eV-10MeV
5.稳定岛理论验证实验:超重核n/p比测量(Z≥104)
1.核燃料元件:铀-235/238混合氧化物燃料棒
2.放射性同位素药物:钼-99/锝-99m发生器系统
3.半导体掺杂材料:高纯锗单晶(Ge-76/74比率)
4.地质年代测定样品:钐-147/钕-143体系
5.核废料处理材料:镅-241/钚-240混合氧化物
1.ASTMC1380-18:放射性材料同位素质谱分析法
2.ISO21483:2017:核级锆合金中n/p比测定规程
3.GB/T35859-2018:半导体材料同位素丰度测量规范
4.ISO18589-4:2019:环境样品α能谱分析法
5.GB11850-2019:核燃料元件化学分析通用要求
1.ThermoScientificELEMENT2:高分辨电感耦合等离子体质谱仪(HR-ICP-MS),质量分辨率>10,000
2.CANBERRAGEM60P4-83:高纯锗γ能谱仪(HPGe),能量分辨率<1.8keV@1.33MeV
3.NEC1.5SDH-2:串列加速器质谱仪(AMS),测量精度10^-15量级
4.Agilent8900:三重四极杆ICP-MS/MS,质量数范围3-310amu
5.ORTECAlphaAnalyst:硅面垒α粒子能谱仪(FWHM<18keV)
6.JEOLJMS-T200GC:气相色谱质谱联用仪(GC-MS),电子轰击源70eV
7.BrukerS8TIGER:波长色散X射线荧光光谱仪(WDXRF),元素范围Be-U
8.PerkinElmerNexION2000:多接收电感耦合等离子体质谱仪(MC-ICP-MS),质量偏转角度90
9.ShimadzuAIM-9000:红外显微成像系统(空间分辨率1μm)
10.MalvernPanalyticalEmpyrean:X射线衍射仪(XRD),角度精度0.0001
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与中子数与质子数比率检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。