检测项目
1.载流子浓度：测量范围1e10-1e20cm⁻，精度3%
2.界面态密度：分辨率≥1e10eV⁻cm⁻
3.迁移率谱分析：温度范围77-400K
4.深能级瞬态谱(DLTS)：时间常数10μs-100s
5.表面复合速率：测试频率1kHz-1MHz
检测范围
1.III-V族化合物半导体（GaAs、InP等）
2.硅基功率器件（IGBT、MOSFET）
3.钙钛矿光伏材料
4.OLED显示器件空穴传输层
5.MEMS传感器压电薄膜
检测方法
ASTMF1392-18：场效应晶体管载流子迁移率测试规程
ISO18562-4:2020：半导体材料霍尔效应测量规范
GB/T1551-2009：硅单晶电阻率测定方法
IEC60749-27:2020：半导体器件热载流子注入试验
JESD22-A117E：电子注入栅氧化层完整性测试
检测设备
Keithley4200A-SCS：支持DC-IV/CV/LF噪声多参数分析
AgilentB1500A：具备1μV电压分辨率的半导体参数分析仪
ThermoFisherScientificApreo2SEM：纳米级电子束注入系统
LakeShoreCRX-VF：4K超低温探针台系统
KeysightE4990A：阻抗分析仪（20Hz-120MHz）
OxfordInstrumentsPlasmaPro100：等离子体注入装置
HORIBALabRAMHREvolution：显微拉曼光谱仪（空间分辨率300nm）
BrukerDimensionIcon：原子力显微镜导电模式模块