电光效应检测概述:检测项目1.半波电压(Vπ):测量材料产生π相位差所需的最小电压值(单位:kV/mm)2.消光比(ER):评估调制器通断状态的光强比值(典型范围:20-40dB)3.响应时间(τ):测定电场变化至光学响应达到90%的时间(纳秒至微秒级)4.线性电光系数(γ):计算电场引起的折射率变化率(单位:pm/V)5.温度稳定性:测试-40℃至85℃范围内电光参数的漂移量(ΔVπ/Vπ≤5%)检测范围1.铌酸锂(LiNbO₃)晶体及其波导器件2.钽酸锂(LiTaO₃)电光调制芯片3.磷酸二氢钾(KDP)类非线性光学晶
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.半波电压(Vπ):测量材料产生π相位差所需的最小电压值(单位:kV/mm)
2.消光比(ER):评估调制器通断状态的光强比值(典型范围:20-40dB)
3.响应时间(τ):测定电场变化至光学响应达到90%的时间(纳秒至微秒级)
4.线性电光系数(γ):计算电场引起的折射率变化率(单位:pm/V)
5.温度稳定性:测试-40℃至85℃范围内电光参数的漂移量(ΔVπ/Vπ≤5%)
1.铌酸锂(LiNbO₃)晶体及其波导器件
2.钽酸锂(LiTaO₃)电光调制芯片
3.磷酸二氢钾(KDP)类非线性光学晶体
4.聚合物电光薄膜(如PMMA掺杂DR1体系)
5.量子阱结构半导体光电元件(GaAs/AlGaAs等)
1.ASTME1131-20:采用干涉法测定线性电光系数
2.ISO17526:2017:激光系统用电光调制器响应特性测试规范
3.GB/T11297.11-2021:电光晶体半波电压测量方法(偏振光强法)
4.IEC61300-3-53:光纤器件电光响应时间测试规程
5.GB/T38783-2020:铌酸锂晶体电光性能温度稳定性试验方法
1.KeysightN7788B光波元件分析仪:支持10MHz-40GHz带宽的调制响应测试
2.ThorlabsPAX1000偏振分析仪:测量波长范围400-1700nm的消光比参数
3.Agilent4294A精密阻抗分析仪:用于介电常数与电导率同步测量(40Hz-110MHz)
4.Newport1918-C光功率计系统:配合可调光源实现Vπ精确标定(精度0.5%)
5.HindsPEM-100光电弹性调制器:基于压电效应的动态相位测量装置
6.AndoAQ6317B光谱分析仪:0.6-1.75μm波长范围内的光谱响应测试
7.TektronixDPO7254数字示波器:70GHz带宽高速信号采集系统
8.InstecHCS402高温高湿试验箱:温度控制精度0.1℃的环境可靠性测试设备
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与电光效应检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。