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电子束蒸发器检测

  • 原创官网
  • 2025-05-24 15:25:14
  • 关键字:电子束蒸发器测试案例,电子束蒸发器测试仪器,电子束蒸发器测试周期
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电子束蒸发器检测概述:检测项目1.真空系统极限压力:≤510⁻⁶Pa(动态平衡状态)2.电子枪束流稳定性:0.5%(连续工作8小时)3.膜厚均匀性:3%(200mm直径基片)4.蒸发速率控制精度:0.1/s(0.1-50/s量程)5.基底温度控制:1℃(室温至800℃范围)检测范围1.金属薄膜:Al、Au、Ag等纯度≥99.99%的蒸发材料2.氧化物薄膜:SiO₂、Al₂O₃等高介电常数材料3.半导体材料:GaAs、InP等III-V族化合物4.光学镀膜:MgF₂、ZnS等宽光谱镀层5.超导材料:NbN、YBCO等低温沉积薄膜


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CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

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检测项目

1.真空系统极限压力:≤510⁻⁶Pa(动态平衡状态)
2.电子枪束流稳定性:0.5%(连续工作8小时)
3.膜厚均匀性:3%(200mm直径基片)
4.蒸发速率控制精度:0.1/s(0.1-50/s量程)
5.基底温度控制:1℃(室温至800℃范围)

检测范围

1.金属薄膜:Al、Au、Ag等纯度≥99.99%的蒸发材料
2.氧化物薄膜:SiO₂、Al₂O₃等高介电常数材料
3.半导体材料:GaAs、InP等III-V族化合物
4.光学镀膜:MgF₂、ZnS等宽光谱镀层
5.超导材料:NbN、YBCO等低温沉积薄膜

检测方法

1.ASTMF1048-18真空镀膜系统残余气体分析规程
2.ISO14644-7洁净室相关受控环境-第7部分:分离装置
3.GB/T32291-2015真空技术-磁悬浮转子真空计校准规范
4.ISO21283:2018表面化学分析-辉光放电质谱法
5.GB/T34879-2017微束分析-电子探针显微分析通用技术条件

检测设备

1.LeyboldINFICONXTC/3晶振膜厚监控仪(0.1分辨率)
2.Agilent5977BMSD残余气体分析质谱仪(1-300amu)
3.KLA-TencorP-7Profilometer(0.1nm垂直分辨率)
4.KeysightB2902A精密源表(0.1fA电流分辨率)
5.ThermoScientificiCAPRQICP-MS(ppb级元素分析)
6.BrukerD8ADVANCEX射线衍射仪(薄膜结构分析)
7.VeecoDEKTAKXTL台阶仪(150mm扫描范围)
8.MKS937B双通道真空计(10⁻⁸Torr量程)
9.OxfordInstrumentsOmniVac高真空探针台
10.HamamatsuC10910D电子束流密度分析仪

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与电子束蒸发器检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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