检测项目
正向压降（Vf）：测量器件导通时两端电压差，典型范围0.3V-1.2V@1A
反向击穿电压（Vbr）：测试器件反向偏置失效临界值，覆盖50V-2000V等级
反向漏电流（Ir）：量化截止状态下泄漏电流值，精度需达1nA级
结温耐受（Tjmax）：验证器件在125℃-175℃高温环境下的稳定性
动态响应时间（trr）：测定反向恢复时间参数，纳秒级分辨率要求
检测范围
硅基整流二极管（1N4007系列/FR系列）
快恢复二极管（UF4007/MUR系列）
肖特基二极管（1N5819/SB系列）
桥式整流模块（GBJ/KBP封装系列）
碳化硅/氮化镓新型整流器件（C3D/CGD系列）
检测方法
ASTMF1249：半导体器件热阻测试规范
IEC60747-1：分立器件通用测试标准
GB/T4023-2015：半导体器件反向阻断三极晶体管测试方法
JESD22-A108F：电子器件加速寿命试验标准
SJ/T11399-2019：半导体二极管正向特性测试规程
检测设备
KeysightB1505A功率器件分析仪：支持3000V/1500A高压大电流测试
TektronixDMM6500数字万用表：6.5位分辨率漏电流测量
Chroma19032耐压测试仪：AC/DC5kV绝缘强度验证
ESPECPL-3KPH恒温箱：-70℃~180℃温度循环系统
Agilent33522B函数发生器：100MHz高频信号输出
FLIRA325sc红外热像仪：非接触式结温分布监测
HIOKIRM3545电阻计：μΩ级导通电阻测量
RIGOLDS7034示波器：500MHz带宽动态波形分析
GWInstekLCR-8105G电桥：10MHz元件参数测试
MCCS-400探针台：晶圆级器件特性表征系统