可送检的样品类型与对应检测项目
| 样品类型 | 典型应用场景 | 主要检测项目 | 常用方法 / 参考 |
|---|---|---|---|
| 空间级CCD与CMOS图像传感器 | 遥感相机、星敏感器、空间科学载荷 | 暗电流均值与分布、暗信号非均匀性、电荷转移效率、热点像元计数、量子效率变化 | 质子与中子阶梯注量辐照，辐照前后控温原位比对，按非电离能量损失折算等效注量 |
| 光电耦合器 | 星载电源隔离驱动、总线信号传输 | 电流传输比退化、输入输出特性、绝缘耐压、响应时间与共模抑制 | GJB 548B-2005方法体系，阶梯注量点逐级辐照测试，CTR保持率评价 |
| 双极晶体管与达林顿管 | 放大电路、线性电源、电机驱动模块 | 共发射极电流增益退化、集电极漏电流、输出特性曲线簇漂移 | GJB 128A-1997分立器件辐照试验，1MeV中子等效注量考核 |
| 硅与砷化镓太阳电池 | 卫星主电源方阵、深空探测器电源 | 短路电流、开路电压、填充因子、最大输出功率衰减、衰减系数 | 1MeV电子与10MeV质子辐照，AM0太阳模拟器辐照前后电性能比对 |
| 激光二极管与发光二极管 | 星间通信光源、光电探测组件 | 阈值电流漂移、输出光功率退化、串联电阻、光谱特性 | 质子辐照叠加钴60对照试验，辐照后规定时限内完成光参数测量 |
| 模拟与混合信号集成电路 | 信号调理电路、基准源、比较器 | 输入偏置电流、开环增益、失调电压、噪声、电源电流变化 | 中子与伽马组合辐照，移位测试与原位测试结合，退火前后比对 |
| 高能物理实验硅探测器 | 对撞机径迹探测、量能器硅传感器 | 体漏电流、全耗尽电压、电荷收集效率、有效掺杂浓度变化 | 反应堆快中子与高能质子等效注量辐照，低温电流电压与电荷测量 |
检测项目
1. 1MeV中子等效位移损伤注量：考核量级通常覆盖10的10次方至10的13次方每平方厘米，按轨道粒子环境折算任务期注量。
2. 非电离能量损失NIEL折算：将质子、电子与中子等不同粒子注量按材料NIEL值归一到1MeV中子参考，形成统一损伤量度。
3. 电流传输比保持率：光电耦合器辐照后CTR保持率通常以不低于初始值百分之五十作为工程验收参考限。
4. 暗电流与暗信号非均匀性：图像传感器暗电流增量随注量近似线性增长，DSNU以每秒每像元电子数表征并统计热点像元。
5. 电流增益退化阈值：双极晶体管hFE退化至初始值百分之五十时对应的注量，作为抗位移损伤能力指标。
6. 太阳电池功率衰减：1MeV电子注量10的13次方至10的15次方每平方厘米量级下，短路电流与最大功率衰减率及衰减系数测定。
7. 退火特性：室温24小时与100摄氏度168小时加速退火前后参数比对，评估时间依赖恢复行为。
检测范围
1. 图像传感器类：全帧与行间转移CCD、科学级与商用CMOS探测器，面向遥感与天文载荷筛选。
2. 光电器件类：光电耦合器、光电二极管、雪崩光电二极管与硅光电倍增管。
3. 晶体管类：小功率与功率双极晶体管、达林顿管、结型场效应管。
4. 太阳电池类：硅电池、单结与三结砷化镓电池、薄膜电池及玻璃盖片复合组件。
5. 集成电路类：运算放大器、电压基准、比较器与数模混合器件。
6. 探测器类：硅条与硅像素探测器、锗锂与硅锂探测器。
7. 材料类：半导体级硅片、砷化镓与碳化硅外延材料的辐照缺陷表征。
检测方法
1. GJB 548B-2005《微电子器件试验方法和程序》：微电子器件辐射试验方法体系，含总剂量对照与退火程序。
2. GJB 128A-1997《半导体分立器件试验方法》：分立器件中子辐照与辐照后测量程序。
3. GB/T 14055.1-2008《用于辐射防护的剂量学中子参考辐射场 第1部分：特性值和产生方法》：中子参考辐射场特性与产生方法。
4. GB/T 14055.2-2012《用于辐射防护的剂量学中子参考辐射场 第2部分：与基准剂量学有关的辐射场量》：中子注量与能谱基准测量。
5. GB 18871-2002《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》：试验过程辐射防护与剂量管理依据。
6. ISO 8529-2:2000中子参考辐射场剂量学：注量测量与转换系数国际基准方法。
7. MIL-STD-883方法1017与MIL-STD-750方法1016：微电子与分立器件中子辐照试验的国外方法体系，方法1019总剂量试验用作电离效应对照。
检测设备
1. 池式研究反应堆快中子辐照孔道：注量率10的8次方至10的10次方每平方厘米每秒，配备镉比控制与能谱表征。
2. 回旋加速器质子辐照装置：质子能量10至100兆电子伏特连续可调，束流均匀性优于正负百分之五。
3. 静电加速器电子辐照装置：电子能量1至10兆电子伏特，注量率自动积分控制。
4. 钴60伽马辐照装置：剂量率0.01至1戈瑞每秒连续调节，用于总剂量效应对照试验。
5. 高精度半导体参数分析仪：电流分辨率10飞安量级，电压分辨率1微伏，支持脉冲与准静态测试。
6. 晶体管图示仪：扫描电流范围10纳安至10安，用于辐照前后输出特性曲线簇比对。
7. 暗电流测试系统：控温范围零下40至60摄氏度，控温精度0.1摄氏度，避光屏蔽腔体。
8. 太阳模拟器：AM0光谱，辐照度1367瓦每平方米，辐照不均匀性正负百分之二以内。
9. 低温恒温器：控温范围4至500开尔文，用于探测器低温电流电压特性测量。
10. 活化箔剂量测量系统：配备铟、金、硫等活化箔与高纯锗伽马谱仪，完成中子注量与能谱监测。