检测项目
漏电流测试：测量范围1nA-10mA，精度±0.5%
导通电阻测试：分辨率0.1mΩ，最大测试电流100A
击穿电压测定：电压范围0-5kV，步进精度±10V
电流-电压特性曲线：扫描速率0.1-100V/s，采样率1MHz
温度漂移测试：温控范围-55℃~150℃，精度±0.5℃
检测范围
半导体材料：硅基/砷化镓晶圆、功率器件芯片
导电薄膜材料：ITO薄膜、金属纳米涂层
电子元件：电容器、连接器、继电器触点
电池材料：正负极材料、隔膜导电性测试
绝缘材料：高分子聚合物、陶瓷基板
检测方法
ASTM F1249：半导体器件漏电流测试标准方法
ISO 16750-2：汽车电子部件电流负载试验规范
GB/T 26248-2010：电子元件导通电阻测量标准
IEC 60695-2-10：材料耐电弧击穿性能测试
GB/T 17626.4：电快速瞬变脉冲群抗扰度试验
检测设备
Keysight B1500A：半导体参数分析仪，支持0.1fA-10A电流扫描
Chroma 19032：高功率电子负载，最大电流1200A，电压1000V
Tektronix PA3000：功率分析仪，带宽5MHz，精度0.03%
HIOKI BT3563：电池测试系统，支持四线法电阻测量
ESPEC T-242：高低温试验箱，温变速率15℃/min