检测项目
薄膜厚度：检测范围0.1nm-10μm，精度±0.05nm（台阶仪法）
晶体取向：XRD检测半高宽（FWHM）≤0.05°，晶格失配度<0.1%
表面粗糙度：AFM测试Ra≤0.2nm（扫描范围5×5μm²）
成分分析：SIMS深度分辨率1nm，元素检测限1×10¹⁵ atoms/cm³
缺陷密度：PL映射检测位错密度<10⁶ cm⁻²，CL成像分辨率50nm
检测范围
III-V族半导体材料：GaAs、InP基外延片
宽禁带半导体：GaN、SiC功率器件外延层
光学薄膜：TiO₂/SiO₂多层高反膜（λ=400-1600nm）
超导材料：YBCO薄膜临界电流密度≥3MA/cm²（77K）
磁性薄膜：FePt有序化程度L1₀相占比>90%
检测方法
X射线衍射（XRD）：ASTM E1160（2θ角精度±0.0001°）
扫描探针显微镜（SPM）：ISO 11039（探针曲率半径<10nm）
二次离子质谱（SIMS）：GB/T 23414-2009（溅射速率0.1-5nm/s）
阴极荧光（CL）：ISO 16700（束流稳定性±0.1nA）
椭偏光谱：ASTM E1792（入射角调节精度±0.01°）
检测设备
X射线衍射仪：Rigaku SmartLab，配备HybridPixel阵列探测器，可执行ω-2θ联动扫描
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon，PeakForce Tapping模式，Z轴噪声<0.05nm
飞行时间二次离子质谱：ION-TOF TOF.SIMS 5，双束溅射系统，质量分辨率m/Δm>15,000
扫描电镜：Thermo Fisher Scios 2，配备EDAX Octane Elite EDS，能谱分辨率129eV
低温探针台：Lake Shore CRX-6.5K，温度稳定性±0.1K（4.2-350K），磁场强度±1T