检测项目
巴尔末系谱线波长测定（范围：380-750 nm，精度±0.02 nm）
莱曼系紫外光谱强度分析（波长范围：95-122 nm，动态范围≥1:10⁶）
精细结构分裂测量（分辨率≤0.005 nm）
斯塔克效应位移量检测（电场强度0-10 kV/cm）
同位素位移分析（氕/氘/氚谱线分离度≥3σ）
检测范围
半导体材料：硅基氢化薄膜、GaN外延层
光学镀膜：氟化镁增透膜、二氧化硅保护层
气体放电管：氢灯、氘灯电离气体
激光晶体：YAG晶体掺杂缺陷分析
等离子体材料：核聚变装置第一壁材料表面氢滞留量
检测方法
ASTM E388-04：光谱带宽与波长精度验证规程
ISO 21258:2010：高分辨率光谱仪强度校准方法
GB/T 22368-2008：低气压气体放电光源测试规范
ASTM E131-10：光谱化学分析术语标准
GB/T 32211-2015：等离子体发射光谱分析方法通则
检测设备
Ocean Optics HR4000高分辨率光谱仪（分辨率0.035 nm FWHM）
Agilent Cary 7000紫外可见近红外分光光度计（波长范围175-3300 nm）
McPherson Model 209真空单色仪（工作真空度≤1×10⁻⁶ Torr）
Hamamatsu C10910系列光电倍增管（响应波段115-900 nm）
Princeton Instruments PIXIS 1024B CCD探测器（量子效率＞90%@656 nm）