检测项目
刻蚀速率测定：测量范围50-500 nm/min，误差≤±3%
横向/纵向均匀性分析：晶圆内均匀性≤5%，批次间重复性≤8%
选择比验证：光阻/基底材料选择比≥20:1
表面粗糙度检测：Ra值≤2 nm（AFM测量）
残留物成分分析：XPS检测污染物含量≤0.5 at%
检测范围
半导体材料：硅基晶圆（300mm）、GaN、SiC衬底
光学元件：石英玻璃、氟化钙透镜
聚合物薄膜：聚酰亚胺（PI）、SU-8光刻胶
金属材料：铝/铜互连层、钛/钨阻挡层
陶瓷基板：氧化铝（Al₂O₃）、氮化铝（AlN）
检测方法
ASTM F1394-92(2020)：等离子体刻蚀速率测定标准
ISO 14606:2018：反应离子刻蚀均匀性测试规范
GB/T 39143-2020：集成电路用硅片等离子体处理技术要求
ASTM E2108-16：X射线光电子能谱（XPS）表面分析标准
GB/T 35033-2018：半导体器件等离子体加工工艺评价方法
检测设备
牛津仪器PlasmaPro 1000 ICP-RIE系统：配备Langmuir探针的实时等离子体诊断模块
日立SU9000场发射扫描电镜：0.4nm分辨率下的三维形貌重构功能
布鲁克Dimension Icon原子力显微镜：PeakForce Tapping模式表面粗糙度测量
赛默飞ESCALAB Xi+ XPS系统：单色化Al Kα光源（1486.6 eV）
KLA-Tencor P-7台阶仪：0.1Å垂直分辨率薄膜厚度测量能力