检测项目
功函数绝对值测量：4.0-6.5 eV范围测试精度±0.02 eV
表面电势分布扫描：空间分辨率≤50 nm
温度依赖性分析：-50℃至300℃温控精度±0.5℃
表面污染层影响测试：Ar+溅射深度0-50 nm可调
光照响应特性：紫外-可见光波段(200-800 nm)激发测试
检测范围
金属材料：铜箔(纯度≥99.99%)、金靶材(厚度50-200 nm)
半导体晶圆：硅片(掺杂浓度1e15-1e19 cm⁻³)、GaN外延片
透明导电薄膜：ITO玻璃(方阻5-100 Ω/sq)、AZO镀膜
二维材料：石墨烯(层数1-10层)、MoS₂薄膜
有机电子材料：PEDOT:PSS薄膜(厚度30-150 nm)
检测方法
ASTM E2108-16：开尔文探针法测定金属表面功函数
ISO 18516:2019：紫外光电子能谱(UPS)标准测试流程
GB/T 38976-2020：半导体材料功函数测试四探针法
GB/T 40006-2021：纳米薄膜接触电势差测量规范
IEC 62607-3-1:2017：二维材料功函数扫描探针测试法
检测设备
开尔文探针力显微镜(KPFM)：Bruker Dimension Icon型，分辨率0.01 eV
紫外光电子能谱仪：Thermo Scientific ESCALAB Xi+型，He I光源(21.22 eV)
四探针测试系统：Lucas Labs SYS-3012型，电流精度±0.1%
变温测试腔体：SPECS PHOIBOS 150型，温度稳定性±0.3℃
原位溅射系统：VG Scienta OMICRON MXPS型，离子能量0.5-5 keV可调