检测项目

扩散激活能（Ea）：范围0.5~5.0 eV，误差±0.1 eV

扩散系数温度依赖性（D0）：测试温度范围25~1500℃

浓度梯度扩散速率：测量精度±1.5%

同位素示踪扩散深度：分辨率0.1 μm

晶界扩散与体扩散比：误差范围≤5%

检测范围

金属材料：铝合金、钛合金、高温镍基合金

半导体材料：硅晶圆、砷化镓、氮化镓

陶瓷材料：氧化铝、碳化硅、氮化硅

高分子材料：聚酰亚胺薄膜、环氧树脂基体

复合材料：碳纤维增强陶瓷基（C/SiC）

检测方法

ASTM E2281：高温扩散偶法测定金属间化合物扩散系数

ISO 17091：惰性气体脉冲法测定陶瓷材料氧扩散率

GB/T 13303-2021：金属材料氢渗透检测方法

ISO 14237：二次离子质谱（SIMS）测定半导体掺杂分布

ASTM F76：放射性同位素示踪法测量晶界扩散系数

检测设备

热脱附质谱仪（TDS）：Thermo Fisher TDS-GS，检测极限1×10-6 mol/m2

高温扩散炉：GSL-1600X，最高温度1600℃，控温精度±1℃

聚焦离子束扫描电镜（FIB-SEM）：Zeiss Crossbeam 550，定位精度10 nm

激光共聚焦拉曼光谱仪：Horiba LabRAM HR Evolution，空间分辨率0.5 μm

同位素成像系统：CAMECA IMS 7f，深度分辨率0.3 nm