检测项目

界面态密度（Dit）：测量范围1×109-1×1013 cm-2eV-1

能级分布（ET）：扫描范围-5 eV至+5 eV

驰豫时间（τ）：覆盖10-6-10-3秒量级

界面陷阱电荷密度（Qit）：精度±0.01 C/cm2

界面态激活能（EA）：分辨率0.01 eV

检测范围

半导体材料：Si/SiO2、GaN/Al2O3

光伏器件：钙钛矿异质结、CIGS薄膜电池

功能涂层：防腐蚀金属镀层、绝缘陶瓷涂层

电子封装材料：环氧树脂/铜基板界面

纳米复合材料：石墨烯/聚合物复合体系

检测方法

C-V法：ASTM F1248-20, GB/T 26072-2010

Terman法：ISO 14707:2021, GB/T 35032-2018

深能级瞬态谱（DLTS）：IEC 60749-28:2023

光致放电谱（PDS）：JIS H 0605:2019

开尔文探针力显微镜（KPFM）：ISO 21363:2020

检测设备

Keysight B1500A半导体分析仪：支持高频C-V扫描与瞬态电流测量

Cascade Summit 12000探针台：实现真空环境下10-4-10-1 Torr压力控制

Scios 2 DualBeam FIB-SEM：配备电子束诱导电流（EBIC）模块

TriboLab纳米力学测试系统：集成开尔文探针功能模块

Thermo Fisher ESCALAB Xi+ XPS：配备单色Al Kα光源（1486.6 eV）

SRS SIM928电荷放大器：噪声水平＜1 fA/√Hz@1 kHz

Cryo Industries闭循环制冷系统：温控范围4.2-500 K±0.01 K稳定性