检测项目

1.晶格常数测定:分辨率0.002(X波段),测量范围2-30

2.超点阵反射率分布:角度分辨率0.001,强度动态范围106

3.界面缺陷密度分析:灵敏度≥103cm-2,定位精度5nm

4.多层膜界面粗糙度:RMS值测量范围0.1-5nm,重复性误差≤3%

5.热稳定性测试:温度控制范围25-1200℃,升温速率0.1-50℃/min

检测范围

1.III-V族半导体异质结材料(GaAs/AlGaAs、InP/InGaAs等)

2.氧化物超晶格薄膜(SrTiO3/LaAlO3、BaTiO3/SrRuO3等)

3.金属多层膜结构(Co/Pt、Fe/Cr等磁性超晶格)

4.二维材料异质结(石墨烯/h-BN、MoS2/WS2等)

5.有机-无机杂化钙钛矿晶体(MAPbI3/FAPbI3等)

检测方法

ASTMF1044-22:X射线衍射法测定半导体超晶格参数

ISO14707:2021:辉光放电光谱法分析多层膜成分分布

GB/T39496-2020:高分辨电子显微术表征晶体缺陷技术规范

ISO21283:2018:掠入射X射线反射法测量薄膜界面粗糙度

GB/T38976-2020:半导体材料热膨胀系数测试方法

检测设备

1.RigakuSmartLabX射线衍射仪:配备HyPix-3000探测器,实现0-150广角扫描

2.BrukerD8Discover高分辨衍射系统:配置VANTEC-500二维探测器,角度重复精度0.0001

3.ThermoScientificK-AlphaXPS:单色化AlKα光源(1486.6eV),空间分辨率≤7.5μm

4.JEOLJEM-ARM300F球差校正电镜:点分辨率0.08nm,STEM模式原子级成像

5.Agilent5500AFM:非接触模式扫描,Z轴分辨率0.05nm

6.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD:配备高温附件(最高1600℃),实时原位分析

7.HoribaLabRAMHREvolution:532nm/325nm双激光源拉曼光谱仪,空间分辨率0.5μm

8.OxfordInstrumentsPlasmaPro100:13.56MHz射频源,深度剖析速率≤1nm/s

9.ZeissCrossbeam550FIB-SEM:30kV聚焦离子束,定位精度10nm

10.Keithley4200A-SCS参数分析仪:10fA电流分辨率,支持DC-IV/CV测试模块