检测项目
1.晶体结构分析：测定晶面间距(d值)范围0.1-3nm，晶格常数精度0.001
2.相组成鉴定：识别物相种类≥5种混合体系，含量检测限0.5vol%
3.晶粒取向测定：取向偏差角分辨率≤0.5，织构系数计算误差2%
4.缺陷表征：位错密度检测范围10⁶-10/cm，层错能测量精度5mJ/m
5.应力应变分析：残余应力测量范围2000MPa，应变分辨率110⁻⁴
检测范围
1.半导体材料：硅基芯片外延层厚度50-500nm的晶体缺陷分析
2.金属合金：高温合金γ'相尺寸分布(10-500nm)及取向关系测定
3.纳米材料：量子点粒径分布(2-20nm)及晶型结构鉴定
4.高分子聚合物：结晶度(10-90%)及球晶尺寸(100nm-10μm)表征
5.陶瓷材料：多相复合陶瓷中第二相含量(1-30wt%)及界面结构分析
检测方法
ASTME112-13晶粒尺寸测定标准中选区衍射法
ISO25498:2018微束分析-电子背散射衍射通则
GB/T15247-2015微束分析术语及晶体学取向测定规范
GB/T36065-2018纳米材料多晶X射线电子衍射测试方法
ASTME2627-13残余应力测定电子背散射衍射标准方法
检测设备
FEITecnaiG2F20：场发射透射电镜，点分辨率0.24nm，配备双倾样品台
JEOLJEM-2100F：200kV场发射电镜，STEM模式分辨率0.19nm
HitachiHF5000：冷场发射电镜，低剂量模式电子束流0.1nA-1μA可调
RigakuD/MAXRapidII：微区衍射仪，最小光斑尺寸50μm
BrukerD8Discover：三维X射线衍射仪，角度重复性0.0001
TESCANMIRA3：FEG-SEM联用EBSD系统，采集速度≥3000点/秒
OxfordInstrumentsAZtecHKL：全自动EBSD数据采集系统
GatanOriusSC200D：CCD相机系统，动态范围16bit@40082672像素
EDAXHikariPro：能谱-EBSD一体化探测器
ProtoiXRD-Combo：残余应力测试系统，Ψ角范围45可调