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晶粒内结构检测

  • 原创官网
  • 2025-03-10 15:21:06
  • 关键字:晶粒内结构测试案例,晶粒内结构测试方法,晶粒内结构测试机构
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晶粒内结构检测概述:晶粒内结构检测是材料微观性能分析的核心环节,通过精确表征晶粒尺寸、取向、缺陷分布等参数,评估材料的力学、热学及电学特性。检测涵盖金属、陶瓷、半导体等材料,需结合高分辨率显微技术与标准化测试方法,确保数据可靠性和工艺优化依据。


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注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).

CMA/CNAS等证书详情,因时间等不可抗拒因素会发生变更,请咨询在线工程师。

☌ 询价

检测项目

晶粒尺寸分布:测量范围0.5μm–500μm,偏差精度±2%

位错密度分析:分辨率≥106 cm-2,误差<5%

晶界取向差角:角度范围2°–62.8°,EBSD步长0.05–5μm

孪晶界比例:检测阈值0.1%,统计样本≥1000晶粒

析出相分布均匀性:相尺寸检测下限10nm,面积占比分析精度±0.5%

检测范围

金属材料:铝合金(AA6061/7075)、钛合金(Ti-6Al-4V)、高温合金(Inconel 718)

陶瓷材料:氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4

半导体材料:单晶硅(Si)、砷化镓(GaAs)

高分子材料:聚乙烯(UHMWPE)、聚四氟乙烯(PTFE)

复合材料:碳纤维增强环氧树脂(CFRP)、金属基复合材料(MMC)

检测方法

ASTM E112:晶粒度测定标准(适用金属及合金)

ISO 17721-1:2021:透射电镜(TEM)位错密度定量分析

GB/T 13298-2015:金相显微镜晶界腐蚀与观察规范

ASTM E2627:电子背散射衍射(EBSD)取向成像

ISO 22262-2:2020:X射线衍射(XRD)残余应力检测

检测设备

扫描电子显微镜(SEM):FEI Nova NanoSEM 450,配备EDAX EBSD系统,分辨率1.0nm@15kV

透射电子显微镜(TEM):JEOL JEM-ARM200F,球差校正,点分辨率0.08nm

X射线衍射仪:Bruker D8 ADVANCE,Cu靶Kα辐射(λ=0.154nm),角度精度±0.001°

金相显微镜:Leica DM2700M,偏振光模式,最大放大倍数1000×

原子力显微镜(AFM):Bruker Dimension Icon,峰值力轻敲模式,Z轴分辨率0.1nm

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与晶粒内结构检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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