检测项目
晶粒尺寸分布：测量范围0.5μm–500μm，偏差精度±2%
位错密度分析：分辨率≥106 cm-2，误差＜5%
晶界取向差角：角度范围2°–62.8°，EBSD步长0.05–5μm
孪晶界比例：检测阈值0.1%，统计样本≥1000晶粒
析出相分布均匀性：相尺寸检测下限10nm，面积占比分析精度±0.5%
检测范围
金属材料：铝合金（AA6061/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、高温合金（Inconel 718）
陶瓷材料：氧化铝（Al2O3）、氮化硅（Si3N4）
半导体材料：单晶硅（Si）、砷化镓（GaAs）
高分子材料：聚乙烯（UHMWPE）、聚四氟乙烯（PTFE）
复合材料：碳纤维增强环氧树脂（CFRP）、金属基复合材料（MMC）
检测方法
ASTM E112：晶粒度测定标准（适用金属及合金）
ISO 17721-1:2021：透射电镜（TEM）位错密度定量分析
GB/T 13298-2015：金相显微镜晶界腐蚀与观察规范
ASTM E2627：电子背散射衍射（EBSD）取向成像
ISO 22262-2:2020：X射线衍射（XRD）残余应力检测
检测设备
扫描电子显微镜（SEM）：FEI Nova NanoSEM 450，配备EDAX EBSD系统，分辨率1.0nm@15kV
透射电子显微镜（TEM）：JEOL JEM-ARM200F，球差校正，点分辨率0.08nm
X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE，Cu靶Kα辐射（λ=0.154nm），角度精度±0.001°
金相显微镜：Leica DM2700M，偏振光模式，最大放大倍数1000×
原子力显微镜（AFM）：Bruker Dimension Icon，峰值力轻敲模式，Z轴分辨率0.1nm