检测项目

线宽（CD）测量：关键尺寸范围5nm-500nm，局部均匀性偏差≤±2%

套刻精度（Overlay）：对准误差≤±1.5nm，多层级累积误差≤±3nm

缺陷密度分析：颗粒污染≤0.01个/cm²，图形缺失/冗余缺陷尺寸≥20nm

膜厚均匀性检测：厚度范围50nm-5μm，均匀性偏差≤±1.5%

表面粗糙度（Ra）：Ra≤0.2nm（硅基材），Ra≤0.5nm（金属层）

检测范围

光刻胶涂层：化学增幅型、DUV/EUV光刻胶显影后图形完整性

半导体晶圆：硅片、GaAs、SiC等衬底材料图形化结构

掩膜版（Reticle）：铬版、相移版图形精度与透光率一致性

MEMS器件：微机械结构侧壁垂直度与深宽比控制

光学元件：衍射光栅、微透镜阵列形貌与周期一致性

检测方法

ASTM F533-15：扫描电镜（SEM）线宽测量标准化流程

ISO 14644-1：洁净室环境中缺陷密度分级与统计方法

GB/T 30276-2013：光学临界尺寸（OCD）测量技术要求

SEMI P35-1103：套刻精度校准与多点补偿算法规范

ISO 14999-4：干涉仪法检测光学元件表面形貌与相位误差

检测设备

Hitachi CG6300扫描电子显微镜：分辨率0.6nm，支持自动CD测量与能谱分析

KLA-Tencor Archer 500套刻精度测量系统：重复精度≤0.1nm，支持全晶圆扫描

Bruker Dimension Icon原子力显微镜：垂直分辨率0.05nm，用于表面粗糙度与三维形貌重建

NovaScan 8300光学膜厚仪：测量范围1nm-10μm，精度±0.1nm

Lasertec M7360掩膜版缺陷检测机：灵敏度20nm，支持EUV掩模多层膜检测

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与光刻工艺检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。