检测项目

元素种类鉴定：检测硼、磷、砷等III/V族元素及过渡金属掺杂成分

浓度定量分析：测量掺杂浓度范围0.1ppm-10%，精度±2%

三维分布表征：横向分辨率≤50nm，深度分辨率≤5nm

化学态分析：检测替代位/间隙位掺杂占比，结合能偏差±0.1eV

晶格匹配度评估：晶格畸变量检测灵敏度0.01%

检测范围

半导体材料：硅片、砷化镓、氮化镓等单晶/多晶材料

光伏材料：PERC电池掺杂层、钙钛矿薄膜

高分子复合材料：导电塑料、离子交换树脂

金属合金：航空钛合金、稀土永磁材料

陶瓷材料：氧化锆增韧陶瓷、压电陶瓷

检测方法

二次离子质谱(SIMS)：ASTM E1504，GB/T 32281

X射线光电子能谱(XPS)：ISO 15472，GB/T 28894

辉光放电质谱(GD-MS)：ASTM E3047，GB/T 41064

透射电子显微镜(TEM)：ISO 25498，GB/T 27788

卢瑟福背散射谱(RBS)：ISO 22309，GB/T 41630

检测设备

Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS：检测限0.01ppb，质量范围2-290amu

Cameca IMS 7f SIMS：空间分辨率40nm，深度剖析速率1nm/s

Kratos AXIS Supra XPS：单色Al Kα源，能量分辨率≤0.45eV

JEOL JEM-ARM300F TEM：点分辨率0.08nm，STEM模式成分成像

Horiba GD-Profiler 2：深度分析速率1μm/min，元素检出限0.1ppm