检测项目

晶体数量密度：单位面积/体积内晶体数量（单位：个/mm²或个/cm³）

平均晶体尺寸：直径/边长测量范围0.1-500μm（误差≤±0.5μm）

晶体尺寸分布：D10/D50/D90分位值（统计样本≥1000个晶体）

晶界角度偏差：角度测量精度±0.1°（范围0-180°）

晶体取向偏差：欧拉角偏差检测（分辨率≤0.5°）

检测范围

金属合金：铝合金、钛合金、高温合金铸件及锻件

半导体材料：单晶硅、砷化镓、碳化硅晶圆

陶瓷材料：氧化锆、氮化铝、压电陶瓷烧结体

高分子材料：聚乙烯、聚丙烯等半结晶聚合物

药物晶体：API原料药晶型及制剂微晶结构

检测方法

金相分析法：ASTM E112（晶粒度测定）、GB/T 6394（金属平均晶粒度评级）

X射线衍射法：ISO 13779-3（羟基磷灰石结晶度）、GB/T 23413（纳米晶材料检测）

电子背散射衍射：ISO 24173（晶体取向分析）、ASTM E2627（取向成像标准）

激光散射法：ISO 13320（粒度分布）、GB/T 19077（激光衍射法通则）

同步辐射CT：ISO 21363（纳米材料表征）、ASTM E3145（三维晶体成像）

检测设备

扫描电子显微镜：蔡司Sigma 500（分辨率1nm，配备EBSD系统）

X射线衍射仪：岛津XRD-6100（角度范围0-160°，最小步进0.0001°）

金相图像分析系统：奥林巴斯GX53（支持ASTM E112自动评级）

激光粒度分析仪：马尔文Mastersizer 3000（测量范围0.01-3500μm）

三维X射线显微镜：蔡司Xradia 620 Versa（空间分辨率0.7μm）