检测项目

表面电位（测量范围：±10 kV，精度：±0.1%）

电荷密度分布（分辨率：0.1 pC/mm²，扫描步长：5-100 μm）

电位弛豫时间（时间范围：1 ns-1000 s，温度范围：-50℃~300℃）

界面势垒高度（测量精度：±5 meV，能量范围：0-5 eV）

动态电位响应（频率范围：DC-10 MHz，采样率：1 GS/s）

检测范围

半导体材料：单晶硅、砷化镓、氮化镓晶圆

压电陶瓷：锆钛酸铅（PZT）、铌酸锂（LiNbO₃）

光学晶体：氟化钙（CaF₂）、锗酸铋（BGO）

生物医用晶体：羟基磷灰石、磷酸三钙

储能器件材料：固态电解质、锂钴氧化物薄膜

检测方法

ASTM F391-20：半导体材料表面电位测试标准方法

ISO 21782:2021：电化学储能材料界面电位测试规程

GB/T 16533-2020：压电陶瓷材料表面电荷密度检测技术规范

IEC 62607-3-1:2018：纳米材料表面电位扫描测试导则

JIS C2143:2019：绝缘材料体积电位衰减特性测试

检测设备

Keysight B1505A功率器件分析仪：支持±1000V高精度电位测量

KLA Surfscan SP3表面检测系统：实现0.1μm级电荷分布成像

Keithley 4200A-SCS参数分析仪：完成ns级动态电位响应测试

Bruker Dimension Icon原子力显微镜：配备KPFM模块的纳米级表面电位映射

HORIBA EIS-VSP电化学工作站：支持10MHz高频电位阻抗分析