检测项目
位错密度定量分析（检测范围：104-108 cm-2）
位错滑移系取向测定（精度±0.1°）
位错网络拓扑结构表征（分辨率≤5 nm）
位错-析出相交互作用强度（应力场分析范围0.1-5 GPa）
动态加载下位错运动轨迹追踪（帧率≥1000 fps）
位错芯区原子结构解析（电子束能量80-300 keV）
检测范围
金属材料：铝合金（AA2024/7075）、钛合金（Ti-6Al-4V）、镍基高温合金（Inconel 718）
半导体材料：硅单晶（<100>/<111>晶向）、GaN外延层、碳化硅晶圆
复合材料：碳纤维增强钛基复合材料（Cf/Ti）、氧化铝颗粒增强铝基复合材料
陶瓷材料：氧化锆（3Y-TZP）、氮化硅（Si3N4）结构陶瓷
功能材料：形状记忆合金（NiTi）、压电陶瓷（PZT-5H）
检测方法
透射电子显微镜法：ASTM E112-13、GB/T 13298-2015
X射线衍射法：ISO 22278:2020、GB/T 8362-2018
电子背散射衍射法：ASTM E2627-13、ISO 24173:2009
同步辐射拓扑成像法：ISO 22309:2011
原子探针层析技术：ASTM E2859-11
分子动力学模拟验证：GB/T 38214-2019
检测设备
场发射透射电镜：JEOL JEM-ARM300F（球差校正，点分辨率0.08 nm）
X射线衍射仪：Bruker D8 ADVANCE（Cu Kα辐射，2θ范围5°-165°）
聚焦离子束系统：Thermo Fisher Scios 2（离子束加速电压0.5-30 kV）
原位力学测试平台：Kammrath & Weiss Tensile Stage（最大载荷5 kN，温度范围-150°C-1200°C）
三维原子探针：CAMECA LEAP 5000XR（质量分辨率m/Δm≥2000）
同步辐射装置：上海光源BL13W1线站（能量范围5-40 keV）