检测项目
晶格常数测定：测量精度±0.02 nm（XRD法）
晶体取向偏差：角度分辨率≤0.05°（EBSD法）
缺陷密度分析：检出限1×10³ cm⁻²（TEM法）
表面粗糙度测量：Ra值范围0.01-10 μm（AFM法）
电学性能测试：电阻率测量范围10⁻⁶~10³ Ω·cm（四探针法）
检测范围
单晶硅片：用于集成电路制造基材
压电陶瓷材料：包括PZT、LiNbO₃等组分
半导体晶体材料：GaAs、GaN等III-V族化合物
光学晶体元件：YAG、蓝宝石等窗口材料
超导晶体材料：YBCO、MgB₂等超导相结构
检测方法
ASTM F26-21：X射线衍射法测定晶格常数
ISO 24173:2021：电子背散射衍射取向分析
GB/T 32281-2015：扫描电镜缺陷表征方法
ISO 25178-6:2022：原子力显微镜表面形貌测量
GB/T 1554-2018：半导体材料电阻率四探针测试
检测设备
X射线衍射仪：PANalytical Empyrean（2θ角精度±0.0001°）
场发射扫描电镜：Hitachi SU5000（分辨率0.8 nm@15 kV）
原子力显微镜：Bruker Dimension Icon（扫描范围90×90 μm²）
四探针测试仪：Lucas Labs Pro4（电流范围1nA-100mA）
透射电子显微镜：JEOL JEM-ARM300F（点分辨率0.08 nm）