检测项目

1.暗电流测试：反向偏压0-50V范围内测量漏电流（典型值＜1nA）

2.光电流响应度：在标准光源（波长850nm,功率1mW/cm）下测试灵敏度（单位A/W）

3.光谱响应范围：扫描波长400-1100nm区间量子效率（QE≥60%@650nm）

4.响应时间特性：测量上升时间（tr＜10ns）与下降时间（tf＜15ns）

5.温度特性分析：-40℃至+85℃温箱内测试光电流漂移率（≤0.5%/℃）

检测范围

1.单晶硅基光电晶体管（用于光纤通信接收模块）

2.多晶硅薄膜晶体管（TFT阵列传感器核心元件）

3.PIN结构高速光电晶体管（激光雷达探测单元）

4.集成式光电耦合模块（工业隔离控制电路）

5.抗辐射加固型光电晶体管（航天器用光敏器件）

检测方法

1.ASTMF1241-22《半导体器件暗电流测试规程》

2.ISO14762:2018《光电器件光谱响应测量方法》

3.GB/T15651-2020《半导体分立器件光电参数测试通则》

4.IEC60747-5-5:2020《分立器件光电晶体管动态特性测试》

5.GB/T4937-2018《半导体器件机械和气候试验方法》温度循环试验

检测设备

1.KeysightB1500A半导体参数分析仪（暗电流/IV特性测试）

2.NewportOrielCS260B单色仪系统（光谱分辨率0.1nm）

3.TektronixDPO7254数字示波器（4GHz带宽测响应时间）

4.Agilent81600B可调谐激光源（波长精度0.02nm）

5.ESPECSH-642恒温恒湿箱（温控精度0.5℃）

6.Keithley2636B双通道源表（高精度光电流采集）

7.LabsphereLMS-7600积分球辐射定标系统（光功率标定）

8.AdvantestQ6327红外探针台（晶圆级光电参数测试）

9.ThermoScientificESCALABXi+XPS分析仪（表面钝化层成分分析）

10.HamamatsuC12132光学衰减器组（动态范围0-60dB可调）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与硅光电晶体管检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。