1.硅氧元素含量比(Si/O):测定范围0.5-2.0,精度0.02
2.硅氧结合形态分析:包括Si-O-Si桥键与末端Si-OH基团占比
3.热失重率(TGA):温度范围25-1200℃,升温速率10℃/min
4.红外特征峰强度比:1080cm⁻(Si-O-Si)与880cm⁻(Si-OH)峰面积比
5.结晶度指数(XRD):半峰宽法计算无定形相与晶相比例
1.有机硅橡胶制品(密封圈/绝缘套管)
2.半导体用二氧化硅薄膜(厚度50-200nm)
3.陶瓷基复合材料(碳化硅纤维增强型)
4.玻璃熔块原料(钠钙硅酸盐体系)
5.高分子改性填料(纳米二氧化硅母粒)
1.ASTME1621-22:X射线荧光光谱法测定元素组成
2.ISO14703:2020:扫描电镜结合EDS的微观结构分析
3.GB/T6730.3-2017:化学滴定法测定活性氧含量
4.ISO20565-3:2008:热重-质谱联用技术表征分解产物
5.GB/T30704-2014:X射线衍射法定量分析晶相组成
1.ThermoScientificARLPERFORM'XXRF光谱仪:波长色散型,元素检测限达ppm级
2.PerkinElmerSTA8000同步热分析仪:TGA/DSC同步测量精度0.1μg
3.BrukerD8ADVANCEXRD衍射仪:配备LYNXEYEXE探测器,角度重复性0.0001
4.NicoletiS50FTIR光谱仪:光谱范围7800-350cm⁻,分辨率0.09cm⁻
5.HitachiSU5000场发射电镜:搭配OxfordX-MaxN80EDS探测器
6.Agilent7900ICP-MS:质量数范围2-260amu,检出限达ppt级
7.NetzschLFA467HyperFlash激光导热仪:导热系数测量范围0.1-2000W/(mK)
8.MalvernMastersizer3000激光粒度仪:测量范围0.01-3500μm
9.AntonPaarMCR302流变仪:扭矩分辨率1nNm,频率范围10⁻⁶-100Hz
10.ShimadzuUV-3600iPlus分光光度计:带宽0.1-8nm可调,波长精度0.2nm
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与硅氧系数检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。