检测项目

1. 刻蚀速率测定：测量范围0.1-10μm/min，精度±0.05μm/min

2. 表面粗糙度分析：Ra值检测范围0.1-100nm，三维形貌重建精度≤0.5nm

3. 侧壁角度测量：角度范围30°-90°，分辨率±0.1°，倾斜度偏差≤0.5°

4. 线宽临界尺寸（CD）：测量精度±0.8nm@3σ，重复性≤0.3nm

5. 残留物成分分析：元素检出限≥0.1at%，面分布分辨率≤50nm

检测范围

1. 半导体晶圆：硅基/化合物半导体刻蚀结构（FinFET、GAA等）

2. MEMS器件：深硅刻蚀腔体与悬臂梁结构

3. 光学元件：衍射光栅/微透镜阵列刻蚀形貌

4. 金属互连层：铜/铝导线刻蚀剖面及底部粗糙度

5. 介质材料：Low-k/超低k介质刻蚀选择比测定

检测方法

ASTM F1394-92(2020)：等离子体刻蚀速率标准测试方法

ISO 14606:2015：扫描电镜法测量刻蚀剖面特征

GB/T 35089-2018：微纳加工器件表面粗糙度激光干涉测量法

SEMI MF3152-0321：半导体刻蚀残留物的XPS分析方法

IEC 60749-27:2020：半导体器件湿法刻蚀质量评估规范

检测设备

KLA Tencor P-7：三维表面轮廓仪，垂直分辨率0.01nm

Hitachi Regulus 8100：冷场发射扫描电镜，分辨率0.6nm@15kV

Bruker Dimension Icon：原子力显微镜，XYZ扫描精度±0.25nm

Thermo Fisher Nexsa XPS：X射线光电子能谱仪，空间分辨率7.5μm

Olympus OLS5100：激光共聚焦显微镜，Z轴重复性1nm

Park Systems NX-Hybrid：纳米压痕仪，载荷分辨率10nN

Horiba LabRAM HR Evolution：拉曼光谱仪，光谱分辨率0.35cm⁻¹

Zeiss Crossbeam 550L：聚焦离子束-SEM联用系统，定位精度±5nm

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与刻蚀检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。