检测项目

1. 表面缺陷检测：包括颗粒污染（≥0.1μm）、划痕（长度≥5μm）、凹坑（深度≥50nm）等物理缺陷的定位与量化分析

2. 膜厚测量：氧化层（10-200nm）、金属层（50-1000nm）、光刻胶（300-3000nm）的厚度均匀性（±1.5%误差）

3. 电性能测试：方块电阻（0.1-100Ω/□）、击穿电压（10-1000V）、漏电流（≤1nA/cm²）等参数验证

4. 几何尺寸测量：线宽CD（10-100nm）、对准精度（±3nm）、平坦度（TTV≤1μm）

5. 化学成分分析：掺杂浓度（1E15-1E20 atoms/cm³）、金属污染（≤1E10 atoms/cm²）的定量检测

检测范围

1. 硅基晶圆：4英寸至12英寸单晶硅片（电阻率0.001-100Ω·cm）

2. 化合物半导体晶圆：GaAs、GaN、SiC等III-V/IV-IV族材料

3. SOI晶圆：埋氧层厚度（50-2000nm）与顶层硅均匀性

4. 光刻胶涂覆晶圆：ARF/KrF/I-line光刻胶的膜厚与均匀性

5. 金属化晶圆：Al/Cu/TiN/TaN等金属薄膜的台阶覆盖率（≥95%）

检测方法

1. ASTM F1526：表面颗粒计数与缺陷分类标准

2. ISO 14645：薄膜厚度椭偏仪测量规范

3. SEMI MF723：四探针法电阻率测试规程

4. GB/T 16597：半导体材料痕量元素分析方法

5. GB/T 39143：集成电路制造用硅片几何参数测试

6. ISO 21222：扫描电子显微镜缺陷表征方法

7. JESD22-A114：静电放电敏感度测试标准

检测设备

1. KLA-Tencor Surfscan SP3：激光散射式表面缺陷检测系统（灵敏度0.08μm）

2. NanoSpec 6100：光谱反射膜厚测量仪（精度±0.1nm）

3. Hitachi CG4100：临界尺寸扫描电镜（分辨率0.8nm）

4. Thermo Fisher iCAP RQ ICP-MS：电感耦合等离子体质谱仪（检出限0.1ppt）

5. Keysight B1500A：半导体参数分析仪（电流分辨率10fA）

6. Bruker DektakXT：台阶轮廓仪（垂直分辨率0.1Å）

7. Leica DM8000M：金相显微镜（500倍光学放大）

8. Four Dimensions 4D FS300：四探针测试仪（电阻率范围10^-3-10^4Ω·cm）

9> Rudolph FE-III：椭偏仪（膜厚测量速度200点/分钟）

10> Hamamatsu Photonics C13340：深紫外缺陷检测相机（波长193nm）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与半导体晶圆检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。