检测项目

1. 晶体缺陷密度：通过位错密度（单位：cm⁻²）、层错率（%）及空位浓度（cm⁻³）表征

2. 电学参数：载流子浓度（10¹⁴-10¹⁹ cm⁻³）、迁移率（cm²/(V·s)）、电阻率（Ω·cm）

3. 晶格常数测定：测量偏差值≤0.0001 nm（参照标准晶格）

4. 表面粗糙度：Ra≤0.2 nm（12μm×12μm扫描区域）

5. 氧碳含量：FTIR法测定氧含量（10¹⁶ atoms/cm³）、碳含量（10¹⁵ atoms/cm³）

检测范围

1. 单晶硅片：直径200-300mm集成电路用抛光片

2. 砷化镓（GaAs）衬底：用于射频器件与光电器件

3. 氮化镓（GaN）外延片：功率半导体核心材料

4. 磷化铟（InP）：高速光通信器件基板

5. 碳化硅（SiC）晶圆：4H/6H多型体结构验证

检测方法

1. X射线衍射法：ASTM F1945双晶衍射法测定晶格畸变；GB/T 23413-2009缺陷分析

2. 霍尔效应测试：ASTM F76范德堡法测量载流子参数；GB/T 1550-2018非接触式测量

3. 二次离子质谱：ISO 17560:2014深度剖析杂质分布

4. 原子力显微镜：ISO 11039:2011表面三维形貌重建

5. 傅里叶红外光谱：GB/T 24581-2009氧碳含量定量分析

检测设备

1. Rigaku SmartLab 9kW高分辨率X射线衍射仪：全自动四圆测角仪，最小步进0.0001°

2. Lake Shore 8404霍尔效应测量系统：磁场强度±1.8T，温度范围10-400K

3. Bruker Dimension Icon原子力显微镜：ScanAsyst模式分辨率0.1nm

4. Thermo Scientific Nicolet iS50 FTIR光谱仪：检测限达5×10¹⁴ atoms/cm³

5. Cameca IMS 7f-auto二次离子质谱仪：质量分辨率＞15,000@M/ΔM

6. KLA Surfscan SP3无图形晶圆缺陷检测机：可识别＞35nm颗粒缺陷

7. Agilent B1500A半导体参数分析仪：IV/CV测试精度±0.3%

8. Zeiss Merlin扫描电子显微镜：分辨率0.8nm@15kV

9. Hitachi HA800高压透射电镜：点分辨率0.14nm

10. Oxford Instruments PlasmaPro 100深反应离子刻蚀机：用于截面样品制备

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与半导体晶体检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。