掺杂半导体检测

检测项目

1.载流子浓度：测量范围为1E14~1E21cm⁻，精度3%

2.霍尔迁移率：测试范围50~15000cm/(Vs)，温度区间77~300K

3.电阻率：四探针法测量范围0.001~100Ωcm

4.掺杂元素深度分布：SIMS纵向分辨率≤5nm

5.缺陷密度：阴极荧光谱（CL）检测灵敏度≥1E10cm⁻

检测范围

1.硅基掺杂半导体（磷/硼掺杂单晶硅、多晶硅）

2.III-V族化合物半导体（GaAs:Si、InP:Zn）

2.宽禁带半导体材料（SiC:Al、GaN:Mg）

4.有机半导体掺杂薄膜（PEDOT:PSS）

5.低维掺杂结构（量子阱掺杂、二维材料插层）

检测方法

1.ASTMF76-08(2016)：霍尔效应参数标准测试方法

2.ISO14707:2015：辉光放电质谱法测定杂质浓度

3.GB/T1551-2009：硅单晶电阻率直流四探针测量法

4.JISH0605-1996：扩展电阻法测定杂质分布

5.IEC60749-27:2006：热波法测量载流子寿命

检测设备

1.LakeShore8404霍尔效应测试系统：支持0.5T磁场强度与变温测试

2.CAMECAIMS7f-AutoSIMS：质量分辨率＞15,000M/ΔM

3.KLATencorRS-100四探针台：支持自动晶圆Mapping测试

4.ThermoScientificNexsaXPS：空间分辨率＜7.5μm

5.AgilentB1500A半导体参数分析仪：电流测量下限0.1fA

6.BrukerDimensionIconAFM：导电原子力显微模式

7.HoribaLabRAMHREvolutionRaman光谱仪：激光波长532/785nm可选

8.OxfordInstrumentsCL系统：低温至10K阴极荧光测试

9.SemilabWT-2000少子寿命测试仪：微波光电导衰减法

10.VeecoDektakXTL台阶仪：垂直分辨率0.1