低能位错检测概述:检测项目1.位错密度测定:量化单位体积内位错线总长度(cm⁻),误差范围≤5%2.位错分布形态分析:包括均匀性、簇状聚集度及取向分布指数(ODI≥0.85)3.位错类型鉴别:区分刃型位错与螺型位错的占比(精度2%)4.位错运动特性测试:临界分切应力测量(MPa级分辨率)5.界面位错表征:晶界/相界面处位错网络密度(≥10/cm)检测范围1.金属结构材料:铝合金(AA6061-T6)、钛合金(Ti-6Al-4V)等2.半导体单晶材料:硅片(<100>晶向)、砷化镓(GaAs)基板3.高温陶瓷材料
注意:因业务调整,暂不接受个人委托测试,望谅解(高校、研究所等性质的个人除外).
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1.位错密度测定:量化单位体积内位错线总长度(cm⁻),误差范围≤5%
2.位错分布形态分析:包括均匀性、簇状聚集度及取向分布指数(ODI≥0.85)
3.位错类型鉴别:区分刃型位错与螺型位错的占比(精度2%)
4.位错运动特性测试:临界分切应力测量(MPa级分辨率)
5.界面位错表征:晶界/相界面处位错网络密度(≥10/cm)
1.金属结构材料:铝合金(AA6061-T6)、钛合金(Ti-6Al-4V)等
2.半导体单晶材料:硅片(<100>晶向)、砷化镓(GaAs)基板
3.高温陶瓷材料:氧化铝(Al₂O₃)、氮化硅(Si₃N₄)烧结体
4.复合材料体系:碳纤维增强钛基复合材料(Cf/Ti)
5.功能材料:形状记忆合金(Ni-Ti)相变区缺陷分析
1.X射线衍射法:ASTME112-13晶粒度测定标准结合Williamson-Hall法计算位错密度
2.透射电子显微术:ISO24173:2009电子背散射衍射(EBSD)规程
3.同步辐射拓扑成像:GB/T13298-2015金属显微组织检验方法扩展应用
4.原子力显微镜压痕法:ISO14577-1:2015仪器化压痕测试标准
5.激光共聚焦显微术:GB/T3488.1-2014硬质合金金相检测技术规范
1.FEIQuanta650FEG场发射扫描电镜:配备EDAXEBSD系统,空间分辨率1nm
2.BrukerD8DiscoverX射线衍射仪:Cu靶Kα辐射源,角度精度0.0001
3.JEOLJEM-ARM300F球差校正透射电镜:点分辨率0.07nm,支持STEM-HAADF成像
4.Keysight9500原子力显微镜:峰值力轻敲模式,力分辨率10pN
5.ZeissLSM900激光共聚焦显微镜:405nm激光光源,Z轴分辨率0.1μm
6.ShimadzuHMV-G21显微硬度计:载荷范围10gf-2kgf,符合ISO6507标准
7.MalvernPanalyticalEmpyreanXRD平台:配置高温附件(1600℃)原位分析模块
8.OxfordInstrumentsSymmetryEBSD探测器:采集速度≥3000点/秒
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与低能位错检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。