可送检的样品类型与对应检测项目

样品类型 典型应用场景 主要检测项目 常用方法 / 参考
铬版光掩模（二元掩模版） 集成电路g线/i线与DUV投影光刻、接触接近式光刻 关键尺寸CD与均匀性、图形位置精度、透光区透过率、遮光区光密度、图形与膜层缺陷、基板平整度 GB/T 15870-1995、GB/T 16880-1997
相移掩模版 先进制程DUV光刻接触孔层与密线条层 衰减膜透过率（典型6%）、相移量、石英刻蚀深度、CD偏置与全版均匀性 GB/T 34178-2017、椭偏测厚与行业方法
光掩模基板（方形/圆形石英玻璃） 掩模黑体制备、基板来料检验与库存复检 平整度、总厚度偏差、平行度、表面疵病（划痕麻点）、气泡结石、应力双折射 GB/T 34178-2017、GB/T 16523-1996、GB/T 1185-2006
掩模黑体（铬膜/衰减膜空白基板） 掩模版制造来料检验、膜层质量复检 铬膜厚度、方块电阻、膜层附着力、光密度、膜面颗粒 GB/T 15870-1995、GB/T 15871-1995
平板显示光掩模 G4.5至G8.5世代面板阵列、彩膜与黑矩阵光刻 大面积CD均匀性、套刻标记位置精度、版面缺陷与针孔 GB/T 16524-1996、GB/T 16880-1997
对准与测试图形掩模版 光刻工艺监控、套刻精度评估 对准标记尺寸与位置、CD测试图形、线边缘粗糙度与线宽粗糙度 GB/T 16524-1996
中间版与母版 制版复制、版本管理与使用前确认 图形完整性、缺陷密度、CD漂移、位置倍率偏差 GB/T 16880-1997、GB/T 1958-2017

检测项目

1. 关键尺寸CD：线宽测量范围0.1至100μm，测量重复性≤1nm，全版均匀性（3σ）典型值5至20nm

2. 图形位置精度：全版x向、y向位置偏差（3σ）典型≤25nm，同步给出正交误差与倍率修正量

3. 缺陷尺寸与密度：可检图形、膜层及外来物缺陷最小尺寸60至100nm级，按GB/T 16880-1997分类分档统计

4. 透过率与光密度：石英透光区透过率≥90%（365nm典型），铬膜遮光区光密度OD≥3.0

5. 基板几何量：6025规格基板平整度典型0.3至1μm，总厚度偏差TTV≤1μm，平行度微米级

6. 表面疵病与颗粒：划痕、麻点等级按GB/T 1185-2006评定，表面颗粒按0.3μm以上计数控制

检测范围

1. 铬版光掩模：6英寸6025规格方形版（152.4mm×152.4mm×6.35mm）、5英寸方形版

2. 石英光掩模基板：低膨胀合成熔融石英方形与圆形基板

3. 相移掩模版：衰减型PSM（MoSi膜，透过率约6%）、交替型石英刻蚀PSM

4. 平板显示光掩模：G4.5至G8.5世代大面积阵列版、彩膜版与黑矩阵版

5. 掩模黑体与膜层：铬膜、氧化铬衰减膜、MoSi相移膜空白基板

6. 工艺监控图形版：套刻精度测试版、CD测试图形版、对准标记版

检测方法

1. GB/T 34178-2017 光掩模石英玻璃基板（基板几何量、外观与疵病检验）

2. GB/T 16523-1996 圆形石英玻璃光掩模基板规范

3. GB/T 15870-1995 硬面光掩模用铬薄膜（膜厚、方块电阻、附着性与光学性能）

4. GB/T 16880-1997 光掩模缺陷分类和尺寸定义的准则（缺陷分类与尺寸判定）

5. GB/T 16524-1996 光掩模对准标记规范（对准与套刻标记要求）

6. GB/T 1958-2017 几何公差 检测与验证（位置度与几何量检测通则）

检测设备

1. 掩模缺陷检测仪：I线365nm与DUV 257nm照明，可检缺陷尺寸≤80nm，全版逐视场比对

2. 光学CD测量显微镜：365nm单色照明，线宽测量重复性≤1nm，自动聚焦与边缘算法

3. CD测量电子显微镜：加速电压0.5至1.0kV低能电子束，测量重复性≤1nm

4. 激光干涉图形位置测量机：双频激光干涉测长，位置测量不确定度（3σ）≤25nm，行程≥160mm

5. Fizeau平面干涉仪：标准平面口径≥150mm，面形分辨力λ/100（λ=632.8nm）

6. 紫外可见分光光度计：波长190至1100nm，透过率精度±0.3%，支持365nm与248nm定点光密度测定

7. 椭偏仪：膜厚分辨力0.1nm，支持Cr、MoSi单层与多层膜拟合

8. 四探针方块电阻测试仪：量程1mΩ/□至100MΩ/□，重复性±0.3%

9. 白光干涉三维轮廓仪：垂直分辨力0.1nm，用于台阶高度与刻蚀深度测量

10. 偏光应力双折射仪：光程差测量分辨力1nm级，用于石英基板应力评估