检测项目

1.表面晶格常数测定：测量精度0.01，能量范围50-200eV。

2.表面重构类型识别：分析(11)、(21)等超晶格结构对称性。

3.吸附层有序性评估：覆盖度0.1-1ML（单层），角度分辨率0.5。

4.缺陷密度量化：缺陷密度范围10¹⁰-10¹⁴cm^-2。

5.热膨胀系数测定：温度范围80-1200K，控温精度0.5K。

检测范围

1.半导体材料：硅（Si）、锗（Ge）单晶表面及外延薄膜。

2.金属单晶表面：金（Au(111)）、铜（Cu(100)）等高指数晶面。

3.氧化物薄膜：TiO₂(110)、Al₂O₃(0001)等界面结构。

4.催化剂表面：铂（Pt）、钯（Pd）纳米颗粒负载型催化剂。

5.二维材料：石墨烯、六方氮化硼（h-BN）层间堆垛分析。

检测方法

1.ASTME1523-15：低能电子衍射仪校准与操作规范。

2.ISO18117:2009：表面化学分析样品制备与处理指南。

3.GB/T30705-2014：晶体表面结构分析的实验方法通则。

4.ASTME2108-16：电子衍射图谱定量分析方法。

5.ISO18516:2019：表面分析技术分辨率测试标准。

检测设备

1.OmicronSPECSLEED系统：四栅极设计，能量分辨率≤0.5eV。

2.VGScientaR-LEED：旋转样品台配置，角度调节精度0.1。

3.KratosAXISSupraLEED-AES联用仪：集成俄歇电子能谱模块。

4.JEOLJAMP-9500F多功能系统：支持LEED与STM同步成像。

5.STAIBInstrumentsSLEED300：高温样品台（最高1300K）。

6.ThermoScientificESCALABXi+：多技术表面分析平台。

7.RHKTechnologyUHV-LEED：超高真空环境（≤510^-10Torr）。

8.ParkSystemsNX-LEED：兼容原子力显微镜的联用系统。

9.ScientaOmicronErLEED1000：低能量电子枪（20-1000eV）。

10.BrukerD8DiscoverLEED附件：X射线衍射仪扩展模块。