1. 原子序数对比度分析:加速电压15-30kV,探针电流1-10nA
2. 表面形貌三维重构:分辨率优于5nm,倾斜角0-60°可调
3. 元素分布图采集:能谱分辨率≤127eV(Mn-Kα)
4. 晶界与相界表征:工作距离5-15mm,二次电子混合信号比≥30%
5. 镀层/涂层厚度测量:层厚测量精度±50nm(10μm以下)
1. 金属材料:铝合金晶界析出相分析、钛合金α/β相比例测定
2. 半导体器件:芯片焊点IMC层厚度测量、晶圆缺陷定位
3. 陶瓷材料:ZrO2相变区域表征、SiC纤维增强复合材料界面分析
4. 地质样品:陨石矿物成分分布研究、页岩有机质赋存状态观测
5. 生物医学样本:骨植入体表面氧化层评估、牙齿釉质微观结构解析
ASTM E1504-2018《扫描电子显微镜背散射电子成像标准指南》
ISO 16700:2016《微束分析-扫描电镜-图像放大校准方法》
GB/T 17359-2012《微束分析能谱法定量分析通则》
GB/T 27788-2020《微束分析扫描电镜图像清晰度评价方法》
ISO 22493:2014《微束分析扫描电镜词汇》
1. ZEISS Sigma 500场发射SEM:配备四象限BSE探测器,支持12bit数字信号输出
2. Thermo Scientific Apreo 2高真空SEM:低电压模式下实现1nm分辨率BSE成像
3. Hitachi SU9000冷场发射SEM:配备分段式半导体BSE探头,适用于纳米级成分对比
4. JEOL JSM-7900F Schottky场发射SEM:集成高速BSE/EDS同步采集系统
5. TESCAN MIRA4 GMU FEG-SEM:配置全固态BSE探测器,工作距离3-40mm可调
6. Oxford Instruments Ultim Max 170 EDS:搭配BSE信号实现面分布元素定量分析
7. Bruker Quantax FlatQuad BSE探测器:四分割探头支持实时成分对比成像
8. Gatan OnPoint BSE Detector:低噪声设计适用于束流敏感样品
9. K.E. Developments BSED-HV高压型BSE探头:耐受30kV加速电压冲击
10. ETD Everhart-Thornley探测器:兼容二次电子与背散射电子混合模式成像
报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。
检测周期:7~15工作日,可加急。
资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。
标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。
非标测试:支持定制化试验方案。
售后:报告终身可查,工程师1v1服务。
以上是与背散射电子象检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。