检测项目

1.电阻率测量：量程110^-8~110³Ωcm（四探针法）

2.载流子浓度分析：精度5%（霍尔效应测试）

3.迁移率测定：温度范围77K~400K（变温测试系统）

4.缺陷密度检测：分辨率≤0.1μm（扫描电子显微镜）

5.热导率测试：测量误差＜3%（激光闪射法）

6.表面粗糙度：Ra值0.1nm~10μm（原子力显微镜）

7.介电常数测定：频率范围1kHz~1MHz（LCR测试仪）

检测范围

1.金属导体：铜(C11000)、铝(1060)、银(Ag99.99)等纯金属及合金

2.半导体晶圆：硅(111)/(100)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(4H-SiC)

3.薄膜材料：ITO透明导电膜（厚度50-300nm）、多晶硅薄膜

4.电子元器件：MOSFET、IGBT、LED芯片封装结构

5.纳米材料：石墨烯薄膜（层数1-10层）、碳纳米管阵列

6.光伏材料：单晶/多晶硅太阳能电池片、钙钛矿薄膜

检测方法

1.ASTMF76:半导体材料载流子浓度标准测试规程

2.ISO14707:辉光放电光谱法分析表面成分

3.GB/T1551-2009:硅单晶电阻率测定方法

4.IEC60749:半导体器件环境试验方法

5.JISH0605:硅晶体中氧含量测定规程

6.GB/T35011-2018:碳化硅单晶片表面粗糙度测试

7.ASTME1461-13:激光闪射法热扩散系数测定

检测设备

1.Keithley2450源表：四探针电阻率测试（最大电流1A）

2.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统（磁场强度2T）

3.NetzschLFA467激光导热仪（温度范围-120~500℃）

4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜（分辨率0.1nm）

5.AgilentB1500A半导体参数分析仪（电压范围100V）

6.ThermoScientificPrismaEScan电镜（放大倍数50万倍）

7.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪（光谱分辨率0.35cm^-1）

8.KeysightE4990A阻抗分析仪（频率范围20Hz~120MHz）

9.VeecoDektakXT台阶仪（垂直分辨率0.1）

10.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP刻蚀系统（工艺均匀性3%）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与导体检测,半导体检测报告相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。