检测项目
1.电阻率测量：量程110-8~1103Ωcm（四探针法）
2.载流子浓度分析：精度5%（霍尔效应测试）
3.迁移率测定：温度范围77K~400K（变温测试系统）
4.缺陷密度检测：分辨率≤0.1μm（扫描电子显微镜）
5.热导率测试：测量误差＜3%（激光闪射法）
6.表面粗糙度：Ra值0.1nm~10μm（原子力显微镜）
7.介电常数测定：频率范围1kHz~1MHz（LCR测试仪）
检测范围
1.金属导体：铜(C11000)、铝(1060)、银(Ag99.99)等纯金属及合金
2.半导体晶圆：硅(111)/(100)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(4H-SiC)
3.薄膜材料：ITO透明导电膜（厚度50-300nm）、多晶硅薄膜
4.电子元器件：MOSFET、IGBT、LED芯片封装结构
5.纳米材料：石墨烯薄膜（层数1-10层）、碳纳米管阵列
6.光伏材料：单晶/多晶硅太阳能电池片、钙钛矿薄膜
检测方法
1.ASTMF76:半导体材料载流子浓度标准测试规程
2.ISO14707:辉光放电光谱法分析表面成分
3.GB/T1551-2009:硅单晶电阻率测定方法
4.IEC60749:半导体器件环境试验方法
5.JISH0605:硅晶体中氧含量测定规程
6.GB/T35011-2018:碳化硅单晶片表面粗糙度测试
7.ASTME1461-13:激光闪射法热扩散系数测定
检测设备
1.Keithley2450源表：四探针电阻率测试（最大电流1A）
2.LakeShore8400系列霍尔效应测试系统（磁场强度2T）
3.NetzschLFA467激光导热仪（温度范围-120~500℃）
4.BrukerDimensionIcon原子力显微镜（分辨率0.1nm）
5.AgilentB1500A半导体参数分析仪（电压范围100V）
6.ThermoScientificPrismaEScan电镜（放大倍数50万倍）
7.HoribaLabRAMHREvolution拉曼光谱仪（光谱分辨率0.35cm-1）
8.KeysightE4990A阻抗分析仪（频率范围20Hz~120MHz）
9.VeecoDektakXT台阶仪（垂直分辨率0.1）
10.OxfordInstrumentsPlasmaPro100ICP刻蚀系统（工艺均匀性3%）