检测项目

1.线宽精度测量：分辨率≤5nm（CD-SEM），测量范围0.1-200μm

2.套刻精度分析：偏移量3nm（3σ），支持多层结构对准验证

3.缺陷密度统计：可识别≥30nm的颗粒污染或图形畸变

4.侧壁角度测量：倾角范围70-90，误差0.5

5.膜厚均匀性测试：厚度分辨率0.1nm（XRR法），扫描步长10μm

6.曝光剂量验证：能量密度控制1.5%（剂量计校准）

检测范围

1.硅基半导体晶圆（300mm/450mm）的图形化结构

2.EUV光刻胶（化学放大树脂体系）的显影轮廓

3.石英/铬基光掩模版（6英寸/9英寸）的缺陷检测

4.纳米压印模板（NIL模板）的3D形貌表征

5.MEMS器件的深硅刻蚀结构（AR≥10:1）

6.光子晶体器件的周期性结构验证

检测方法

ASTMF42-20：X射线衍射法测量晶格应变与应力分布

ISO14606:2022：电子束扫描法定量分析线边缘粗糙度（LER）

GB/T39143-2020：光学临界尺寸（OCD）测量技术规范

ASTME2865-19：扫描电镜三维重构的标定程序

GB/T35098-2018：微纳结构原子力显微镜测量方法

ISO21222:2020：同步辐射X射线相位对比成像技术规范

检测设备

1.HitachiCG6300CD-SEM：配备5nm电子束探头，支持动态聚焦补偿

2.BrukerD8DiscoverXRD：配置GADDS二维探测器，可测晶面间距0.05-30nm

3.KLASurfscanSP7：激光散射式表面缺陷检测系统（灵敏度30nm）

4.ZeissFIB-SEMCrossbeam550：聚焦离子束三维重构系统（定位精度5nm）

5.ParkNX-HybridAFM：非接触模式原子力显微镜（Z轴分辨率0.1nm）

6.ThermoFisherHeliosG4UXe：双束电镜系统（束流稳定性≤0.4%）

7.RigakuATX-GXRD：高功率旋转阳极衍射仪（最大功率18kW）

8.Keysight9500LC-MS：激光共聚焦显微镜（横向分辨率120nm）

9.NikonXTH450：工业CT系统（最小体素尺寸0.5μm）

10.RaithVoyager4500：电子束直写系统（定位重复性1nm）

北检(北京)检测技术研究院【简称：北检院】

报告：可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期：7~15工作日，可加急。

资质：旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试：严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试：支持定制化试验方案。

售后：报告终身可查，工程师1v1服务。

　　以上是与射线光刻检测相关的简单介绍，具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。