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外光电效应检测

  • 原创官网
  • 2025-05-19 16:55:35
  • 关键字:外光电效应测试案例,外光电效应测试周期,外光电效应测试范围
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外光电效应检测概述:检测项目1.光电流密度测定:测量波长200-800nm范围内光电流密度(单位:μA/cm),精度0.5%2.逸出功分析:通过Fowler曲线法计算逸出功(单位:eV),分辨率达0.01eV3.量子效率测试:在单色光照射下测定量子效率(范围:1%-90%),误差≤1.5%4.光谱响应特性:扫描300-1100nm波段的光谱响应曲线(步长5nm)5.温度依赖性研究:-50℃至150℃温区内测试光电子发射稳定性检测范围1.金属薄膜材料:铝、银、金等真空蒸镀薄膜(厚度10-200nm)2.半导体材料:硅基/砷化镓


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☌ 询价

检测项目

1.光电流密度测定:测量波长200-800nm范围内光电流密度(单位:μA/cm),精度0.5%

2.逸出功分析:通过Fowler曲线法计算逸出功(单位:eV),分辨率达0.01eV

3.量子效率测试:在单色光照射下测定量子效率(范围:1%-90%),误差≤1.5%

4.光谱响应特性:扫描300-1100nm波段的光谱响应曲线(步长5nm)

5.温度依赖性研究:-50℃至150℃温区内测试光电子发射稳定性

检测范围

1.金属薄膜材料:铝、银、金等真空蒸镀薄膜(厚度10-200nm)

2.半导体材料:硅基/砷化镓基光电阴极器件

3.光伏器件:钙钛矿太阳能电池表面电子传输层

4.光电倍增管组件:双碱/多碱光电阴极模块

5.纳米结构材料:氧化锌纳米线阵列/石墨烯复合涂层

检测方法

ASTME1028-23《光电发射材料特性测试标准规程》

ISO18516:2020《表面化学分析-光电发射光谱法通则》

GB/T13384-2021《半导体材料光电性能测试方法》

GB14733.5-2018《电子器件环境试验方法第5部分:光电参数测量》

IEC61345:2016《光伏组件紫外照射试验程序》

检测设备

1.KEITHLEY6517B高阻计:测量10fA-20mA微弱光电流

2.Agilent4155C半导体分析仪:实现伏安特性曲线自动扫描

3.OrielCornerstone260单色仪:波长精度0.1nm@Hg线校准

4.ULVACPHI5000VersaProbeIII:配备He-Iα光源的XPS/UPS联用系统

5.LabsphereLMS-7600积分球系统:光谱响应绝对标定装置

6.JanisST-500低温恒温器:控温精度0.1K@77K工况

7.HamamatsuC12132光子计数单元:单光子级别灵敏度探测模块

8.ThermoScientificESCALABXi+:同步辐射光源联用分析平台

9.KeysightB2902A精密源表:双通道同步IV/CV测量功能

10.BrukerDimensionIcon原子力显微镜:表面功函数纳米级映射系统

北检(北京)检测技术研究院【简称:北检院】

报告:可出具第三方检测报告(电子版/纸质版)。

检测周期:7~15工作日,可加急。

资质:旗下实验室可出具CMA/CNAS资质报告。

标准测试:严格按国标/行标/企标/国际标准检测。

非标测试:支持定制化试验方案。

售后:报告终身可查,工程师1v1服务。

  以上是与外光电效应检测相关的简单介绍,具体试验/检测周期、检测方法和仪器选择会根据具体的检测要求和标准而有所不同。北检研究院将根据客户需求合理的制定试验方案。

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